研究不同划擦深度对划痕形成的影响，结合磁流变抛光过程中的实验数据，选择

研究不同划擦深度对划痕形成的影响，结合磁流变抛光过程中的实验数据，选择模拟的划擦深度为1.5，2.0，2.5nm。GaAs材料选择为（100）晶面，磨粒粒径为8nm。

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To study the effect of different scratch depths on the formation of scratches, combined with the experimental data in the process of magnetorheological polishing, the simulated scratch depths were selected to be 1.5, 2.0, and 2.5 nm. The GaAs material is selected as the (100) crystal plane, and the abrasive grain size is 8 nm.

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To study the effect of different scratch depths on scratch formation, combined with experimental data in the magnetic rhei polishing process, the simulated scratch depth was selected at 1.5, 2.0, 2.5 nm. GaAs materials are selected as (100) crystal surfaces with a grinding particle size of 8nm.

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The influence of different scratch depth on scratch formation was studied. Combined with the experimental data in the process of Mr polishing, the simulated scratch depth was selected as 1.5, 2, 2.5nm. The choice of GaAs material is (100) crystal surface, and the particle size is 8nm.<br>

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