本工作的目的是在反应速率温和的前提下在n型单晶硅片表面制备低反射率的纳

本工作的目的是在反应速率温和的前提下在n型单晶硅片表面制备低反射率的纳米倒金字塔绒面

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The purpose of this work is to prepare low reflectivity nano-inverted pyramid suede on the surface of n-type monocrystalline silicon wafers under the premise of a mild reaction rate.

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The purpose of this work is to prepare a nano-inverted pyramid suede with low reflectivity on the surface of n-type monocrystalline silicon wafers with a moderate reaction rate

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The purpose of this work is to prepare nano inverted pyramid textured silicon with low reflectivity on the surface of n-type monocrystalline silicon under mild reaction rate<BR>

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