In the fume cupboard, a small sliced silicon chip was placed in a clea的简体中文翻译

In the fume cupboard, a small slice

In the fume cupboard, a small sliced silicon chip was placed in a clean hydroxylated beaker (dessicated), head up, and rinsed 3 times with deionized water. The water was poured out andimmediately 5 mL of hydrogen peroxide (H2O2) was added to the beaker with a pipette (hydrogen peroxide dedicated). Then 15 mL of concentrated sulfuric acid was added and the reaction was kept by slowly vibrating for 30 minutes, which forms the surface hydroxylation. After removing the previous liquid and washing the Si three times with deionized water, a large amount of water was used to preserve the silicon substrate.
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在通风橱中,小切片硅芯片被放置在干净的烧杯中羟基化(dessicated),头抬起,并冲洗3次,用去离子水。将水倒出andimmediately 5毫升过氧化氢(H 2 O 2)加入到用移液管将烧杯(过氧化氢专用)。然后浓硫酸的15毫升中的溶液,将反应保持通过30分钟,形成表面羟基化缓慢振动。删除以前的液体,并用去离子水洗涤所述Si三次后,用大量的水以保持硅衬底。
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在烟尘橱中,将一小片切片的硅片置于清洁的羟基烧杯中,然后用去离子水冲洗3次。将水倒出,然后用吸液管(过氧化氢专用)将5毫升过氧化氢(H2O2)加入烧杯中。然后加入15ml浓硫酸,缓慢振动30min,形成表面羟基化反应。在去掉先前的液体并用去离子水洗涤Si三次之后,使用大量的水来保持硅衬底。<br>
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