Fig. 6(b) shows a plot ofln( T1/2)

Fig. 6(b) shows a plot ofln( T1/2) versus 1/(kBT) below the peak temperature Tp, fromwhich one can see that there are good linear relations betweenln( T1/2) and 1/(kBT) for all the composite specimens, indicatingthat our assumption is reasonable. By best (linear) tting of theexperimental data to formula (7), one obtains the barrier heightEb for all of the composite specimens, as shown in Fig. 5(d). Onecan see from Fig. 5(d) that Eb does not change obviously withchanging BT content, and an average value of Eb ¼ 15 meV isobtained here. Clearly, the relatively small barrier height Eb(equivalent to 1/10 of Eg for BTS) is crucial to both reducingcarrier scattering at the interfaces to retain a high mobility andcausing EDCS to happen to increase thermopower in thecomposite specimens. The inset in Fig. 6(b) shows schematicsof the potential barrier formed at the interfaces of the BT/BTScomposites.

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图6（b）显示了在峰值温度Tp以下 ln（T1 / 2 ）与1 /（kBT）的关系图，从中 可以看出 ln（T1 / 2 ）与1 /（ kBT），这表明 我们的假设是合理的。通过将 实验数据最好地（线性）拟合到公式（7），可以得到 所有复合材料样本的势垒高度Eb，如图5（d）所示。一个 可从图看到的。5（d），其的Eb不与明显变化 改变BT内容，和EB¼15兆电子伏的平均值 这里获得。显然，相对较小的势垒高度Eb （相当于BTS的Eg的1/10）对于减小两者都至关重要。 载体在界面处的散射可保持较高的迁移率，并 导致EDCS发生，从而增加了 复合材料样品的热功率。图6（b）中的插图显示 了在BT / BTS 复合材料的界面处形成的势垒的示意图。

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Fig. 6(b) shows a plot of ln( T1/2 ) versus 1/(kBT) below the peak temperature Tp, from which one can see that there are good linear relations between ln( T1/2 ) and 1/(kBT) for all the composite specimens, indicating that our assumption is reasonable. By best (linear) tting of the experimental data to formula (7), one obtains the barrier height Eb for all of the composite specimens, as shown in Fig. 5(d). One can see from Fig. 5(d) that Eb does not change obviously with changing BT content, and an average value of Eb ¼ 15 meV is obtained here. Clearly, the relatively small barrier height Eb (equivalent to 1/10 of Eg for BTS) is crucial to both reducing carrier scattering at the interfaces to retain a high mobility and causing EDCS to happen to increase thermopower in the composite specimens. The inset in Fig. 6(b) shows schematics of the potential barrier formed at the interfaces of the BT/BTS composites.

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图6（b）示出了 ln（T1/2 )相对于峰值温度Tp以下1/（kBT），从 我们可以看出 ln（T1/2 )和1/（kBT），所有复合试样，表明 我们的假设是合理的。通过最佳（线性）设置 根据公式（7）的实验数据，可以得出障碍物高度 所有复合试样的Eb，如图5（d）所示。一个 从图5（d）可以看出，Eb与 改变BT含量，Eb的平均值为1.5mev 在这里获得。显然，相对较小的屏障高度Eb （相当于BTS的1/10乙二醇）对降低 在界面处的载流子散射保持高迁移率 导致EDC在 复合试样。图6（b）所示为示意图 在BT/BTS界面形成的势垒 复合材料。

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