体相MoS2材料带隙宽度很窄约为1.17eV,而且是人为可调,达到单层的MoS2禁带宽度可提升至1.91eV,这样带隙宽度对于可见光吸收来说的俄语翻译

体相MoS2材料带隙宽度很窄约为1.17eV,而且是人为可调,达到单层

体相MoS2材料带隙宽度很窄约为1.17eV,而且是人为可调,达到单层的MoS2禁带宽度可提升至1.91eV,这样带隙宽度对于可见光吸收来说非常高效。多变原子配位和特殊电子结构使得其具有很快速的载流子传输速度(超过自身(200cm•V-1•S-1)[10]。纳米MoS2材料具有比表面积大,吸附能力强,而且纳米粒子能够暴露出更多催化活性点,反应活性更高特点,尽管MoS2在理论上是一种非常好的理想型光催化剂,但它反应活化位点主要集中在边缘面的不饱和硫,而占比最高位于基面硫通常被认为是没有活性。其次,在MoS2晶体容易发生团聚及边界自动闭合问题,会直接导致其光催化剂活性位点不足,并且它产生光生载流子极易在界面处发生大比例复合。因此,目前MoS2在大部分光催化研究领域中还只是处于起步阶段。
0/5000
源语言: -
目标语言: -
结果 (俄语) 1: [复制]
复制成功!
Ширина запрещенной зоны объемного материала MoS2 очень узкая, около 1,17 эВ, и она искусственно регулируется. Ширина однослойной запрещенной зоны MoS2 может быть увеличена до 1,91 эВ, так что ширина запрещенной зоны очень эффективна для поглощения видимого света. Многопараметрическая координация атомов и специальная электронная структура обеспечивают очень высокую скорость передачи носителей (больше, чем он сам (200 см • V-1 • S-1) [10]. Материал Nano MoS2 имеет большую удельную поверхность и высокую адсорбционную способность. Кроме того, наночастицы могут открывать больше каталитически активных центров и иметь более высокую реакционную способность. Хотя MoS2 теоретически является очень хорошим идеальным фотокатализатором, его сайты активации реакции в основном сосредоточены в ненасыщенной сере на краевой поверхности. Наибольшая доля серы на базальной поверхности обычно считается неактивной.Во-вторых, проблема агломерации и автоматического закрытия границ в кристаллах MoS2 напрямую приведет к недостаточному количеству активных центров фотокатализатора, и легко генерировать фотогенерированные носители. Большая часть рекомбинации происходит на границе раздела, поэтому MoS2 все еще находится в зачаточном состоянии в большинстве областей исследований фотокатализа.
正在翻译中..
结果 (俄语) 2:[复制]
复制成功!
体相MoS2材料带隙宽度很窄约为1.17eV,而且是人为可调,达到单层的MoS2禁带宽度可提升至1.91eV,这样带隙宽度对于可见光吸收来说非常高效。多变原子配位和特殊电子结构使得其具有很快速的载流子传输速度(超过自身(200cm•V-1•S-1)[10]。纳米MoS2材料具有比表面积大,吸附能力强,而且纳米粒子能够暴露出更多催化活性点,反应活性更高特点,尽管MoS2在理论上是一种非常好的理想型光催化剂,但它反应活化位点主要集中在边缘面的不饱和硫,而占比最高位于基面硫通常被认为是没有活性。其次,在MoS2晶体容易发生团聚及边界自动闭合问题,会直接导致其光催化剂活性位点不足,并且它产生光生载流子极易在界面处发生大比例复合。因此,目前MoS2在大部分光催化研究领域中还只是处于起步阶段。
正在翻译中..
结果 (俄语) 3:[复制]
复制成功!
The band gap width of bulk MoS2 material is very narrow about 1.17ev, and it is artificially adjustable. The band gap width of MoS2 material reaching single layer can be increased to 1.91ev, so the band gap width is very efficient for visible light absorption. Because of the complex atom and special electronic structure, it has a very fast carrier transmission speed (more than its own (200cm · V-1 · s-1) [10]. Nanostructured MoS2 materials have the characteristics of large specific surface area, strong adsorption capacity, more catalytic activity points exposed by nanoparticles, and higher reaction activity. Although MoS2 is a very good photocatalyst in theory, its reaction activation sites are mainly concentrated in the unsaturated sulfur at the edge, and the highest proportion of sulfur at the base is generally considered to be inactive. Secondly, MoS2 crystal is easy to agglomerate and its boundary is closed automatically, which will directly lead to the lack of its photocatalyst active sites, and it is easy to produce a large proportion of photocarriers at the interface. Therefore, MoS2 is still in its infancy in most photocatalytic research fields.<br>
正在翻译中..
 
其它语言
本翻译工具支持: 世界语, 丹麦语, 乌克兰语, 乌兹别克语, 乌尔都语, 亚美尼亚语, 伊博语, 俄语, 保加利亚语, 信德语, 修纳语, 僧伽罗语, 克林贡语, 克罗地亚语, 冰岛语, 加利西亚语, 加泰罗尼亚语, 匈牙利语, 南非祖鲁语, 南非科萨语, 卡纳达语, 卢旺达语, 卢森堡语, 印地语, 印尼巽他语, 印尼爪哇语, 印尼语, 古吉拉特语, 吉尔吉斯语, 哈萨克语, 土库曼语, 土耳其语, 塔吉克语, 塞尔维亚语, 塞索托语, 夏威夷语, 奥利亚语, 威尔士语, 孟加拉语, 宿务语, 尼泊尔语, 巴斯克语, 布尔语(南非荷兰语), 希伯来语, 希腊语, 库尔德语, 弗里西语, 德语, 意大利语, 意第绪语, 拉丁语, 拉脱维亚语, 挪威语, 捷克语, 斯洛伐克语, 斯洛文尼亚语, 斯瓦希里语, 旁遮普语, 日语, 普什图语, 格鲁吉亚语, 毛利语, 法语, 波兰语, 波斯尼亚语, 波斯语, 泰卢固语, 泰米尔语, 泰语, 海地克里奥尔语, 爱尔兰语, 爱沙尼亚语, 瑞典语, 白俄罗斯语, 科西嘉语, 立陶宛语, 简体中文, 索马里语, 繁体中文, 约鲁巴语, 维吾尔语, 缅甸语, 罗马尼亚语, 老挝语, 自动识别, 芬兰语, 苏格兰盖尔语, 苗语, 英语, 荷兰语, 菲律宾语, 萨摩亚语, 葡萄牙语, 蒙古语, 西班牙语, 豪萨语, 越南语, 阿塞拜疆语, 阿姆哈拉语, 阿尔巴尼亚语, 阿拉伯语, 鞑靼语, 韩语, 马其顿语, 马尔加什语, 马拉地语, 马拉雅拉姆语, 马来语, 马耳他语, 高棉语, 齐切瓦语, 等语言的翻译.

Copyright ©2024 I Love Translation. All reserved.

E-mail: