in order to reduction of the on-sta

in order to reduction of the on-state loss and the switching loss leading to the improvement of the energy saving performance of the product,the 7th generation charge storage type igbt (CSTBT tm)and MOS (Metal Oxide Semiconductor) chip structure has been optimized using thinner wafers . the 7th generation diode chip has been made with thinner wafer and has applied the RFC（Relaxed field of Cathode)structure using backside diffusion layer formation technology.

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为了减少导通损耗和开关损耗，从而改善产品的节能性能，对第七代电荷存储型igbt（CSTBT tm）和MOS（金属氧化物半导体）芯片结构进行了优化使用更薄的晶圆。第七代二极管芯片采用更薄的晶圆制成，并通过背面扩散层形成技术应用了RFC（阴极的松弛领域）结构。

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为了减少状态损耗和开关损耗，提高产品的节能性能，第七代电荷存储型igbt（CSTBT tm）和MOS（金属氧化物半导体）芯片结构利用更薄的晶圆进行了优化。第7代二极管芯片采用更薄的晶圆制造，采用背面扩散层形成技术，应用了RFC（阴极的放松场）结构。

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为了降低通态损耗和开关损耗，提高产品的节能性能，采用更薄的晶片对第7代电荷存储型igbt（CSTBT tm）和MOS（Metal Oxide Semiconductor）芯片结构进行了优化。第七代二极管芯片是用更薄的晶片制成的，采用背面扩散层形成技术，采用了RFC（弛豫阴极场）结构。<br>

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