Previous studies [31] indicate the

Previous studies [31] indicate the holes (carrier) are generallycreated by the antistructure defects, and, the increase in carrier(holes) concentration (p) for all the composite samples probablybecausemore antistructure defects are formed with increasing GNscontent.

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先前的研究[31]指出，空穴（载体）通常 是由抗结构缺陷造成的，并且 所有复合材料样品中载体（空穴）浓度（p）的增加可能是 因为随着GNs 含量的增加会形成更多的抗结构缺陷。

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Previous studies [31] indicate the holes (carrier) are generally created by the antistructure defects, and, the increase in carrier (holes) concentration (p) for all the composite samples probably becausemore antistructure defects are formed with increasing GNs content.

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先前的研究[31]表明，孔（载体）通常 产生了反结构缺陷，以及载流子的增加 所有复合样品的（空穴）浓度（p）可能 因为随着GNs的增加，会形成更多的反结构缺陷 内容。

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