A slight difference from the trend in the reported values may be due t的简体中文翻译

A slight difference from the trend

A slight difference from the trend in the reported values may be due to the remaining hydroxides and/or intragranular pores but the velues in this study are still comparable to those in SPS study. The dielectric anomaly appeared around 120 oC that is associated with the tetragonal –cubic displacive phase transition. The corresponding inverse permittivity shows a linear relationship with the temperature (Figure 3(c)). It is clear that the phase transitions obey the Curie-Weiss law (1/εr = (T - θC) / C’: θC is Curie-Weiss temperature and C’ is constant). The parameters obtained are listed in Table 1. The Curie-Weiss constant, C’ for BT-150nm and BT-75nm, are reasonable values for the reported values in the BaTiO3.[44,45] A number of the theoretical and experimental studiesshowed that the transition temperatures of TO-T and TC have a grain (crystalline size) dependence.[33,36,38–42,46,47] Namely, the phase transition becomes the diffused character and then a slight increase of TO-T and decrease of TC are expected. As shown in Figure 3(d), the TO-Tand TC in this study are good agreement with the reported intrinsic size dependences. Finally, the values of θC in the present study are also in the range of the reported values of BaTiO3 sintered by SPS and Hot-Press Sintering methods. Overall, dielectric properties and phase transition behaviors of the cold-sintered BaTiO3 nanocrystalline ceramics are well-explained by the size effect. It is noteworthy that these cold sintered BaTiO3 dielectrics are densified under the lowest sintering temperatures with high permittivity values, earlier it was thought that only high permittivities could be obtained only with higher thermal treatments.[48]
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与报告值的趋势略有不同可能是由于剩余的氢氧化物和/或颗粒内孔,但本研究中的 velues 仍然与 SPS 研究中的那些相当。介电异常出现在 120 oC 附近,与四方-立方位移相变有关。相应的逆介电常数与温度呈线性关系(图 3(c))。很明显,相变遵循居里-魏斯定律(1/εr = (T - θC) / C':θC 是居里-魏斯温度,C' 是常数)。获得的参数列于表 1。居里-魏斯常数,BT-150nm 和 BT-75nm 的 C',是 BaTiO3 中报告值的合理值。[44,45] 一些理论和实验研究表明,TO-T 和 TC 的转变温度具有晶粒(晶体尺寸)依赖性。 [33,36,38–42,46,47] 即,相变变为扩散字符,然后预计 TO-T 略有增加和 TC 减少。如图 3(d) 所示,本研究中的 TO-T 和 TC 与报告的内在尺寸依赖性非常吻合。最后,本研究中的 θC 值也在通过 SPS 和热压烧结方法烧结的 BaTiO3 报告值的范围内。总体而言,尺寸效应很好地解释了冷烧结 BaTiO3 纳米晶陶瓷的介电性能和相变行为。
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与报告值的趋势略有差异可能是由于剩余的氢氧化物和/或粒内孔隙,但本研究中的水平仍与SPS研究中的水平相当。介电异常出现在120℃左右,这与四方-立方位移相变有关。相应的逆介电常数与温度呈线性关系(图3(c))。很明显,相变遵循居里-魏斯定律(1/εr=(T-θC)/C):θC是居里-魏斯温度,C'是常数)。表1列出了获得的参数。对于BT-150nm和BT-75nm,居里-韦斯常数C'是BaTiO3中报告值的合理值。[44,45]大量理论和实验研究表明TO-T和TC的转变温度具有晶粒(晶粒尺寸)依赖性。[33,36,38–42,46,47],相变成为扩散特征,然后TO-T略有增加,TC有所降低。如图3(d)所示,本研究中的TO-Tand TC与报告的固有尺寸依赖性非常一致。最后,本研究中的θC值也在通过SPS和热压烧结方法烧结的BaTiO3的报告值范围内。总的来说,尺寸效应很好地解释了冷烧结钛酸钡纳米晶陶瓷的介电性能和相变行为。值得注意的是,这些冷烧结BaTiO3电介质是在具有高介电常数的最低烧结温度下致密化的,之前人们认为只有通过更高的热处理才能获得高介电常数。[48]
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与报告值的趋势略有不同可能是由于剩余的氢氧化物和/或颗粒内孔隙,但本研究中的薄膜仍与SPS研究中的薄膜相当。介电异常出现在120℃左右,这与四方-立方位移相变有关。相应的逆介电常数与温度呈线性关系(图3(c))。很明显,相变遵循居里-维斯定律(1/εr = (T - θC) / C': θC为居里-维斯温度,C '为常数)。获得的参数列于表1。BT-150纳米和BT-75纳米的居里-魏斯常数是钛酸钡中报道值的合理值。[44,45]许多理论和实验研究表明,TO-T和TC的转变温度与晶粒(晶粒尺寸)有关。[33,36,38–42,46,47]也就是说,相变成为扩散特征,然后预计TO-T会略微增加,TC会降低。如图3(d)所示,本研究中的TO-Tand TC与报道的固有尺寸依赖性非常一致。最后,本研究的θC值也在SPS和热压烧结法烧结钛酸钡的报道值范围内。总的来说,尺寸效应很好地解释了冷烧结钛酸钡纳米晶陶瓷的介电性能和相变行为。值得注意的是,这些冷烧结钛酸钡电介质在具有高介电常数值的最低烧结温度下被致密化,早先认为只有用更高的热处理才能获得高介电常数。[48]
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