众所周知，当两个半导体（这里是Bi2Te2.7Se0.3和AgBiSe

众所周知，当两个半导体（这里是Bi2Te2.7Se0.3和AgBiSe2）相互接触时，由于两个半导体的化学势不同，会产生一个（这里是n–n型）异质结界面电位（势垒），这可能导致EDCS（或EFE）。

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As we all know, when two semiconductors (here Bi2Te2.7Se0.3 and AgBiSe2) are in contact with each other, due to the different chemical potentials of the two semiconductors, a (here n-n) heterojunction interface potential (barrier) will be generated , Which may lead to EDCS (or EFE).

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It is well known that when two semiconductors (in this case Bi2Te2.7Se0.3 and AgBiSe2) come into contact with each other, a heterogeneous junction interface potential (potential base) can result in EDCS (or EFE) due to the different chemical potentials of the two semiconductors.

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It is well known that when two semiconductors (bi2te2.7se0.3 and agbise2) contact with each other, due to the different chemical potentials of the two semiconductors, an interface potential (barrier) of the heterojunction (N-N type) will be generated, which may lead to EDCs (or EFE).<br>

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