因此，在含有 0.2 wt.% AgBiSe2 的复合系统中，在 37

因此，在含有 0.2 wt.% AgBiSe2 的复合系统中，在 373 K 时实现了最大的 ZT = 1.08，比本研究中的 BTS 基质大~56.5%，表明 AgBiSe2 的掺入是一种有效的途径以提高 BTS 的热电性能。

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Therefore, in the composite system containing 0.2 wt.% AgBiSe2, the maximum ZT = 1.08 was achieved at 373 K, which is ~56.5% larger than the BTS matrix in this study, indicating that the incorporation of AgBiSe2 is an effective way to Improve the thermoelectric performance of BTS.

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Therefore, in the composite system containing 0.2 wt.% agbise2, the maximum ZT = 1.08 is achieved at 373 K, which is ~ 56.5% larger than the BTS matrix in this study, indicating that the incorporation of agbise2 is an effective way to improve the thermoelectric performance of BTS.

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Therefore, in the composite system containing 0.2 wt.% AgBiSe2, the maximum ZT = 1.08 is achieved at 373 K, which is 56.5% larger than the BTS matrix in this study, which indicates that the doping of AgBiSe2 is an effective way to improve the thermoelectric performance of BTS.

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