Our result shows that incorporation

Our result shows that incorporation of GaAs nanoparticles into BTS not only cause the maintained high power factor, but also lead to drastic reduction of lattice thermal conductivity L due to phonon scattering of GaAs nanoparticles (as small as L= 0.27 Wm-1K-1 is achieved at 300K).

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我们的结果表明，将GaAs纳米粒子掺入BTS中不仅会导致维持高功率因数，而且还会由于GaAs纳米粒子的声子散射而导致晶格热导率L大大降低（小至L= 0.27 Wm-1K- 1达到300K）。

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结果表明，将GaAs纳米粒子加入BTS不仅会导致保持的高功率因数，而且由于GaAs纳米粒子的声子散射（小至±L=0.27 Wm-1K-1在300K时达到），晶格导热性急剧下降。

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结果表明，GaAs纳米颗粒的加入不仅使BTS保持较高的功率因数，而且由于GaAs纳米颗粒的声子散射（小到L=0.27分Wm-1K-1在300K时实现）。

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