Numerically, we use the FLASH code[25], which is an adaptive mesh refi的简体中文翻译

Numerically, we use the FLASH code[

Numerically, we use the FLASH code[25], which is an adaptive mesh refinement (AMR) program, developed by the Flash Center at the University of Chicago. The FLASH code has been well-known in astrophysics and space geophysics, to create a reference to the MHD solution in our experiments. Here, we employ the single fluid resistive MHD, two dimensional Eulerian code FLASH. And the equation of state (Eos) and opacity tables of targets are based on the IONMIX4 database[26]. In terms of its capabilities, the FLASH code can handle laser ablation, magnetic field dynamics and non-ideal material properties in a single consistent run, it is robust against shocks. In order to better simulate the experiments, the initial conditions (laser, target materials, etc.) are consistent with the experiments, and outflow boundaries are imposed on all sides. The computational domain (X–Y plane) is set as 4000 μm × 1400 μm, and the maximum resolution is 2 μm × 2 μm. We used a FLASH simulation to reproduce the cases with the external magnetic field and without the magnetic field in the experiment.Figure 2 shows side viewing images from the electrons distribution during 0 to 9 ns in FLASH simulation results. Timing from the moment of the nanosecond laser injection. The center of the laser beam is at (x, y, z) = (0, 0, 0) in Figs. 1. In the left panels of Fig. 2(a, c, e) the magnetic field was null and, in the right panels of Fig. 2(b, d, f), the external magnetic field was 1.0 × 105 Gauss. Figure 2 indicate that the electron density is on the order of 1020 cm-3 in our region of interest (near the modulation layer). At the delay time of 3 ns, the plasma outflow passed through the region of Al modulation layer. When the time delay is 6 ns, the KHI has been formed around the interaction region between the plasma outflow and the Al modulation in Fig 2(c, d). When the time delay is 9ns, we can see from Fig. 2(f) that the plasma outflow moved in the positive direction along the Y-axis far from the Al modulation layer. This makes the interaction area between the plasma outflow and the Al modulation layer smaller and smaller, that is, the velocity shear layer between the plasma outflow and the Al modulation layer will gradually disappear. 下面详细分析有无磁场时密度分布的不同之处。
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在数字上,我们用FLASH代码[25],这是一种自适应网格细化(AMR)的程序,由Flash中心芝加哥大学开发的。Flash代码已经在天体物理学和空间物理学众所周知,打造在我们的实验中MHD解决方案的参考。在这里,我们采用了单流体阻力MHD,二维码欧拉FLASH。和状态(EOS)和目标不透明度表的方程是基于IONMIX4数据库[26]上。在其功能方面,FLASH代码可以处理激光烧蚀,磁场动态和非理想的材料特性在一个一致的运行,它是对冲击健壮。为了更好地模拟实验中,初始条件(激光,靶材料等)是与实验一致,并且流出边界在所有侧面上施加的。计算域(X-Y平面)被设定为4000微米×1400微米,且最大的分辨率为2μm×2μm以下。我们使用了FLASH模拟再现的情况下与外部磁场没有在实验中的磁场。<br>图2显示了侧期间在FLASH仿真结果0到9纳秒观看从电子分布图像。从纳秒激光喷射的瞬间时机。的激光束的中心在(X,Y,Z)=图(0,0,0)。1.在图11的左板2(A,C,E)的磁场为空,并且在图4的右图。如图2(b,d,f)中,外部磁场为1.0×105高斯。图2表明,电子密度为1020厘米3在我们感兴趣的区域的顺序(调制层附近)上。在3纳秒的延迟时间,等离子体流出穿过铝调制层的区域中。当时间延迟为6 ns时,川崎已经围绕等离子体流出而在图2的(c,d)在Al调制之间的相互作用区域中形成。当时间延迟为9ns,我们可以从图看到。距离Al调制层2(F),所述等离子体流出沿正方向移动,Y轴远。这使得等离子体流出和Al调制层小,即,等离子体流出和Al调制层之间的速度剪切层将逐渐消失之间的相互作用区域。下面详细分析有无磁场时密度分布的不同之处。
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在数值方面,我们使用 FLASH 代码[25],这是一个自适应网格细化 (AMR) 程序,由芝加哥大学闪存中心开发。FLASH 代码在天体物理学和空间地球物理学中广为人知,在我们的实验中为 MHD 解决方案创建参考。在这里,我们采用单流体电阻MHD,二维欧拉代码FLASH。目标状态 (Eos) 和不透明度表的方程基于 IONMIX4 数据库[26]。就其功能而言,FLASH 代码可在单一一致运行中处理激光消融、磁场动力学和非理想材料特性,对冲击具有强大的抗冲击能力。为了更好地模拟实验,初始条件(激光、靶材等)与实验一致,并在四面均施加流出边界。计算域(X+Y 平面)设置为 4000 μm × 1400 μm,最大分辨率为 2 μm × 2 μm。我们使用 FLASH 模拟在实验中用外部磁场和无磁场重现案例。<br>图 2 显示了 FLASH 仿真结果中 0 到 9 ns 期间电子分布的侧视图图像。从纳秒激光喷射的那一刻起计时。激光束的中心在图 1 中为 (x, y, z) = (0, 0, 0)。在图2(a,c,e)的左侧面板中,磁场为空,在图2(b,d,f)的右侧面板中,外部磁场为1.0× 105高斯。图2表明,在我们感兴趣的区域(靠近调制层)的电子密度在1020 cm-3的有序。在3 ns的延迟时间,等离子体流出通过Al调制层区域。当时间延迟为6 ns时,KHI围绕图2(c, d)中的等离子体流出与Al调制之间的相互作用区域形成。当时间延迟为9ns时,从图2(f)中我们可以看到,等离子体流出沿远离Al调制层的Y轴沿正方向移动。这使得等离子体流出层与Al调制层之间的相互作用区域越来越小,即等离子体流出层与Al调制层之间的速度剪切层将逐渐消失。·[
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数值上,我们使用了FLASH代码[25],这是芝加哥大学FLASH中心开发的一个自适应网格优化(AMR)程序。FLASH代码已经在天体物理学和空间地球物理学中广为人知,在我们的实验中为MHD解提供了参考。在这里,我们采用了单流体电阻MHD,二维欧拉码FLASH。而目标的状态方程(Eos)和不透明度表是基于IONMIX4数据库[26]。就其性能而言,FLASH代码可以在一次连续运行中处理激光烧蚀、磁场动力学和非理想材料特性,具有很强的抗冲击能力。为了更好地模拟实验,初始条件(激光、靶材料等)与实验一致,并在各侧施加出流边界。计算域(X -Y平面)设为4000μm×1400μm,最大分辨率为2μm×2μm。在实验中,采用Flash模拟再现了具有外磁场和无磁场的情况。<br>图2显示了闪光模拟结果中0到9ns期间电子分布的侧视图图像。从纳秒激光注入的时刻开始计时。在图中,激光束的中心位于(x,y,z)=(0,0,0)。一。在图2(a,c,e)的左侧面板中,磁场为零,在图2(b,d,f)的右侧面板中,外部磁场为1.0×105高斯。图2表明,在我们感兴趣的区域(调制层附近),电子密度约为1020cm-3。在3ns的延迟时间内,等离子体流出通过Al调制层区域。当时间延迟为6ns时,在图2(c,d)中等离子体流出和Al调制之间的相互作用区域周围形成KHI。当时间延迟为0时,我们可以从图2(f)看出,等离子体外流沿y方向正向远离al调制层的方向移动。这使得等离子体流出与Al调制层之间的相互作用区域越来越小,即等离子体流出与Al调制层之间的速度剪切层将逐渐消失。下面详细分析有无磁场时密度分布的不同之处。<br>
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