It thus seems reasonable to explain

It thus seems reasonable to explain the shear modulus on the basis of the bending energy of the system. However, some results render such a model unlikely. We have noticed that with increasing charge density the shear modulus shows saturation when less than 10% of the surfactant molecules are charged. Furthermore, the modulus increases strongly with increasing surfactant concentration. Both effects would be difficult to understand on the basis of the bending energy. It is mainly for these reasons that we would like to rule out this model at present even though it looks very appealing.

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因此，基于系统的弯曲能来解释剪切模量似乎是合理的。然而，一些结果使这样的模型不太可能。我们注意到，随着电荷密度的增加，当表面活性剂分子带电少于 10% 时，剪切模量显示饱和。此外，模量随着表面活性剂浓度的增加而显着增加。根据弯曲能量很难理解这两种效应。主要是因为这些原因，我们目前想排除这个模型，尽管它看起来很吸引人。

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因此，根据体系的弯曲能来解释剪切模量似乎是合理的。然而，一些结果使得这样的模型不太可能。我们注意到，随着电荷密度的增加，当表面活性剂分子的电荷少于10%时，剪切模量呈现饱和。此外，模量随表面活性剂浓度的增加而显著增加。根据弯曲能量，这两种效应都很难理解。这主要是因为这些原因，我们想排除目前这种模式，即使它看起来非常有吸引力。<br>

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因此，根据系统的弯曲能来解释剪切模量似乎是合理的。然而，一些结果使得这样的模型不太可能。我们已经注意到，随着电荷密度的增加，当表面活性剂分子的电荷少于10%时，剪切模量显示饱和。此外，模量随着表面活性剂浓度的增加而显著增加。根据弯曲能，这两种效应都很难理解。主要是因为这些原因，我们目前想排除这种模式，尽管它看起来很有吸引力。

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