ith Se due to the higher lattice di

ith Se due to the higher lattice disorder (Figure 8d).After having subtracted the electronic contribution κe, κdecreased with temperature in the low-temperature range andstabilized or increased at higher temperatures, when the bipolarcontribution, κbi, became significant (Figure 9e). Above theDebye temperature, ca. 145 K for Bi2Te3,49 phonon scattering byUmklapp mechanism leads to a T−1 dependence of the latticethermal conductivity, κL. On the other hand, κbi displays anexponential dependence with temperature and the material bandgap,

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由于较高的晶格无序（图8d）。 减去电子贡献κe后，当双极性贡献κbi变得显着时，κ 在低温范围内随温度降低而降低， 在较高温度下稳定或升高 （图9e）。高于 德拜温度，约 Umklapp机理对Bi2Te3,49声子的散射产生145 K 导致晶格 热导率κL 的T-1依赖性。另一方面，κbi 与温度和材料带 隙呈指数关系，

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ith Se 由于较高的格子紊乱（图 8d）。 减去电子贡献后， 随着温度在低温范围内而降低， 稳定或增加在更高的温度，当两极 贡献，βbi，变得显著（图9e）。以上 Debye 温度，约 145 K，用于 Bi2Te3，49 磷非散射 Umklapp 机制导致晶格的 T+1 依赖 导热性，βL。另一方面，*bi 显示 指数依赖温度和材料带 差距

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由于更高的晶格无序（图8d）。 减去电子贡献后 在低温范围内随温度降低 当双极性 贡献，k bi，变得显著（图9e）。高于 Debye温度，Bi2Te3,49声子散射约145K Umklapp机制导致晶格的T-1依赖性 导热系数，k L。另一方面，k bi显示 与温度和材料带呈指数关系 差距，

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