Experimentally, the parabolic negative magnetoresistance associated wi的简体中文翻译

Experimentally, the parabolic negat

Experimentally, the parabolic negative magnetoresistance associated with electron-electron interactions was first identified by Paalanen et al.137 in high-mobility GaAs-AlGaAs heterostructure channels. A more detailed study was made by Choi et al.55 In that paper, as well as in Ref.113, it was found that the parabolic magnetoresistance was less pronounced in narrow channels thanin wider ones. Choi et al. attributed this suppression to specular boundary scattering. It should be noted, however, that specular boundary scattering has no effect at all on the classical conductivity tensor σ0 (in the scattering time approximation; cf. Section II.A.2). Since the parabolic magnetoresistance results from the (ωcτ)2 term in 1/σ0xx [see Eq. (2.54)], one would expect that specular boundary scattering does not suppress the parabolic magnetoresistance (assuming that the result δσxy = δσyx = 0 still holds in the pure metal regimel > W). Diffuse boundary scattering does affect σ0, but only for relatively weak fields such that 2lcycl >∼ W (see Section II.A); hence, diffuse boundary scattering seems equally inadequate in explaining the observations. In the absence of a theory for electron-electron interaction effects in the pure metal regime, this issue remains unsettled.
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实验上,用电子 - 电子相互作用相关联的抛物面负磁阻首先由Paalanen等al.137中的高迁移率的GaAs-的AlGaAs异质结构的通道标识。更详细的研究是由Choi等al.55制成在该文件中,以及在Ref.113,人们发现,在抛物面磁阻是在窄通道比较不明显<br>在更广泛的。Choi等人。将此归因抑制镜面边界散射。应当指出,然而,镜面边界散射没有影响对经典电导率张量σ0在所有(在散射时间近似;参见第II.A.2)。由于从(ωcτ)抛物面磁阻结果在1 /σ0xx[见公式2项。(2.54)],可以预期的是镜面边界散射不抑制抛物线磁阻(假设结果δσxy=δσyx= 0仍然保持在纯金属regimel> W)。漫界散射确实影响σ0,但仅限于相对较弱的电场,使得2lcycl>〜W(见II.A); 因此,漫界散射似乎在解释观测同样不足。
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在实验中,Paalanen等人首先在高流动性GaAs-AlGaAs异构结构通道中确定了与电子-电子相互作用相关的抛物面负磁阻。Choi等人进行了更详细的研究。在论文中,以及在参考文献113中,发现抛物线磁阻在狭窄通道中不如<br>在更广泛的。Choi等人将这种抑制归因于镜面边界散射。然而,应当指出,镜面边界散射对经典电导率张度[0](在散射时间近似中;参见第二节)没有任何影响。A.2. 由于抛物线磁阻产生于 1/[0xx ][见 Eq. (2.54)]中的 ([c]] 2] 一个术语),因此人们期望镜面边界散射不会抑制抛物线磁阻(假设结果 [xy] _yx = 0 仍然保留在纯金属方案 = W)。漫反射边界散射确实会影响 ±0,但仅适用于相对较弱的场,例如 2lcycl = W(请参阅第 II 节)。A);因此,漫反射边界散射在解释观测结果方面似乎同样不够。在纯金属机制中缺乏电子-电子相互作用效应的理论的情况下,这个问题仍未解决。
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实验上,Paalanen等137首次在高迁移率GaAs-AlGaAs异质结构通道中发现了与电子相互作用有关的抛物线负磁电阻Choi等人在论文中以及参考文献113中进行了更详细的研究,发现在窄通道中抛物线磁电阻比在窄通道中更不明显<br>在更宽的地方。Choi等人将此抑制归因于镜面边界散射。然而,应该注意到,镜面边界散射对经典电导率张量α0没有影响(在散射时间近似中;参见第二部分.A.2)。由于抛物线磁阻是由1/σ0xx中的(ωcτ)2项产生的[见等式(2.54)),因此可以预期镜面边界散射不会抑制抛物线磁阻(假设结果δσxy=δσyx=0仍保持在纯金属区域>W)漫射边界散射确实影响σ0,但仅限于2lcycl>w的相对弱场(见第II.a节);因此,漫射边界散射似乎同样不足以解释观测结果。由于缺乏纯金属区的电子-电子相互作用效应的理论,这个问题仍然没有得到解决。<br>
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