Comparedwith PDI-V, NDP-V (P4) (Fig

Comparedwith PDI-V, NDP-V (P4) (Fig. 4) provided higher electron mobility, enhanced and more complementary light absorptions to thedonor material. Consequently, an enhanced performance forNDP-V-based fullerene-free OSCs was achieved with a PCE ashigh as 8.59%.

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与 PDI-V 相比，NDP-V（P4）（图4）提供了更高的电子迁移率，增强了 供体材料的吸收性，并增强了互补性。因此， PCE 高达8.59％，可实现基于NDP-V的无富勒烯OSC 的增强性能。

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比较 使用PDI-V，NDP-V（P4）（图4）为 捐赠材料。因此，增强的性能 基于 NDP-V 的无富勒烯 OSCs 是通过 PCE 实现的。 高达8.59%。

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相比 在PDI-V中，NDP-V（P4）（图4）提供了更高的电子迁移率，增强和更多的互补光吸收 供体材料。因此，增强了 用PCE-as制备了NDP-V基无富勒烯OSCs 高达8.59%。

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