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Чтобы исключить влияние Si, Ван Энг
Чтобы исключить влияние Si, Ван Энге и другие использовали химическое осаждение с помощью горячей проволоки при помощи смещения, чтобы впервые получить гексагональные призмы C3N4 с прозрачной морфологией кристаллов на никелевых подложках. Однако продукты CH и NH легче получать в условиях химического осаждения из паровой фазы, что делает большинство пленок нитрида углерода, полученных плазмохимическим осаждением из паровой фазы или физическим осаждением из паровой фазы, аморфными. Многие исследования были сосредоточены на механических свойствах и полевых эмиссионных свойствах тонких пленок, в то время как прогресс в синтезе и структуре кристаллов нитрида углерода был медленным.
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为了消除Si的影响，Van Enge等人使用热丝通过偏压进行化学沉积，首次在镍基板上获得具有透明晶体形态的C3N4六角形棱镜。然而，在化学气相沉积下更容易获得CH和NH产物，这使得通过等离子体化学气相沉积或物理气相沉积获得的大多数氮化碳膜是非晶的。许多研究集中在薄膜的机械性能和场发射性能上，而碳氮化物晶体的合成和结构方面的进展却很缓慢。
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为了消除Si的影响，Van Enge等人利用热丝进行化学沉积，通过移位首次获得具有镍基板上透明晶体形态的C3N4六角棱镜。然而，CH和NH产品更容易在蒸汽相的化学沉积中获得，这使得等离子体化学沉积从蒸汽相或蒸汽相无定形的物理沉积中获得的大部分碳氮化膜变得更容易。许多研究侧重于薄膜的机械特性和场外排放特性，而氮化碳晶体的合成和结构进展缓慢。
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为了消除Si的影响，Van Enge和其他人使用了化学位移热丝沉淀，首次获得透明的C3N4六角棱镜。镍基晶体形态学。然而，在化学汽相淀积条件下，CH和NH产品更容易获得，这使大多数氮化碳薄膜成为可能，（a）由无定形的等离子体化学淀积或从蒸汽相实际淀积而产生的等离子体化学淀积。许多研究侧重于薄膜的机械性能和实地发射特性，虽然在氮化碳晶体的合成和结构方面进展缓慢。<br>
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