To understand the OVs-enhanced mech

To understand the OVs-enhanced mechanism for the selective synthesis of ammonium over TiO2, theoretical calculations are performed. For comparison, TiO2 (101) surface without OVs, with one OV and with two OVs are chosen as models. The density of states (DOS) reveals the semi-conductive character of TiO2 (101) surfaces without OVs (Figure S14).

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为了了解OVs增强的TiO2上铵选择性合成机理，进行了理论计算。为了比较，选择不具有OV，具有一个OV和具有两个OV的TiO 2（101）表面作为模型。态密度（DOS）揭示了没有OV的TiO2（101）表面的半导电特性（图S14）。

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为了了解在TiO2上选择性合成铵的OV增强机制，进行了理论计算。为了进行比较，TiO2 （101）表面没有 OV，一个 OV 和两个 OV 作为模型选择。状态（DOS）的密度显示没有 O V 的 TiO2 （101）曲面的半导体特性（图 S14）。

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为了了解OVs增强TiO2上铵选择性合成的机理，进行了理论计算。为了进行比较，选择无OVs、有一个OVs和有两个OVs的TiO2（101）表面作为模型。态密度（DOS）揭示了没有OVs的TiO2（101）表面的半导体特性（图S14）。<br>

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