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Characterization: Phase purity was

Characterization: Phase purity was investigated by the X-ray diffraction (XRD, Empyrean, PANalytical) with a scan rate of 0.067 º/s using Cu K. Raman spectra were measured with Raman microscope (Horiba, Vlabinir, 532 nm). The microstructures were observed by Field Emission Scanning Emission Microscopy (Leo 1550, Carl Zeiss, Inc., Jena, Germany) for fracture surfaces. The transmission electron microscope (TEM) samples were prepared by the Focused Ion Beam (FEI Helios NanoLab 660 FIB) system and the TEM analysis was done by FEI Talos F200 ×. Average grain size was calculated from the polished surface using the line intercept method[17].The 80 nm of Pt electrodes were deposited by sputtering (Q150R Plus, Quorum) for the electrical measurement. Dielectric properties were investigated with HP 4284A precision LCR meter. The polarization-field (P-E) hysteresis loop of the BT-75nm was measured using a Sawyer-Tower circuit with a Trek Model 30/20 high voltage amplifier system (Trek, Inc., Lockport, NY).

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表征：使用Cu K通过X射线衍射（XRD，Empyrean，PANalytical）以0.067º/ s的扫描速率研究相纯度。拉曼光谱用拉曼显微镜（Horiba，Vlabinir，532 nm）测量。通过场发射扫描发射显微镜（Leo 1550，Carl Zeiss，Inc.，Jena，德国）观察断裂表面的微观结构。通过聚焦离子束（FEI Helios NanoLab 660 FIB）系统制备透射电子显微镜（TEM）样品，并通过FEI Talos F200×进行TEM分析。使用线截距法从抛光的表面计算出平均晶粒尺寸[17]。通过溅射（Q150R Plus，Quorum）沉积80 nm的Pt电极进行电学测量。用HP 4284A精密LCR测量仪研究介电性能。

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特性：X射线衍射（XRD、Empyrean、PANalytical）对相位纯度进行了研究，使用Cu K拉曼光谱扫描率为0.067 o/s，使用拉曼显微镜（霍里巴、弗拉比尼尔、532 nm）测量。通过现场发射扫描发射显微镜（Leo 1550，Carl Zeiss，德国耶拿公司）观察了这些微结构的断裂表面。透射电子显微镜（TEM）样品由聚焦电束（FEI Helios NanoLab 660 FIB）系统制备，TEM 分析由 FEI Talos F200 完成。使用线截取方法[17]从抛光表面计算平均颗粒大小。80 nm Pt 电极通过溅射（Q150R Plus，Quorum）沉积，用于电气测量。使用 HP 4284A 精密 LCR 仪表对电介质性能进行了调查。BT-75nm 的极化场（P-E）滞后环路是使用索耶-塔电路测量的，该电路采用 Trek 型号 30/20 高压放大器系统（Trek， Inc. ，洛克波特，纽约）。

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表征：用X射线衍射仪（XRD，Empyrean，panalytic）研究了相纯度，用Cu-K扫描速度为0.067°/s，用拉曼显微镜（Horiba，Vlabinir，532nm）测量了拉曼光谱。用场发射扫描发射显微镜（Leo 1550，Carl Zeiss，Inc.，Jena，Germany）观察断裂表面的微观结构。采用聚焦离子束（FEI-Helios NanoLab 660-FIB）系统制备透射电子显微镜（TEM）样品，采用FEI-Talos F200×。用线截距法计算抛光表面的平均晶粒尺寸[17]，用溅射法（Q150R+Quorum）沉积80nm铂电极进行电测量。用HP 4284A精密LCR仪研究了其介电性能。采用Trek 30/20型高压放大器系统（Trek，Inc.，Lockport，NY）的Sawyer塔式电路测量了BT-75nm的极化场（P-E）滞环。<br>

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