we conﬁrm this speculation,showing

we conﬁrm this speculation,showing that oxide-passivated pyramidal textured silicon has a higher density of interface states than can be accounted for by surface area and orientation, and that the additional defects are predominantly acceptorlike when above, or donorlike when below, an energy of 0.3 eV higher than the valence band.

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我们证实了这一推测，表明氧化物钝化的金字塔纹理硅具有比表面积和取向所能解释的更高的界面态密度，并且额外的缺陷在上面时主要是受体类，或者在下面时是供体类，能量为比价带高 0.3 eV。

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我们证实了这一推测，表明氧化物钝化的金字塔结构硅具有比表面积和取向更高的界面态密度，并且当在上面时，额外的缺陷主要是受体状的，或者当在下面时，主要是类似于受体的，能量比价带高0.3eV。

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我们证实了这一推测，表明氧化物钝化的金字塔形织构硅具有比表面积和取向所能解释的更高的界面态密度，并且额外的缺陷在高于价带0.3 eV的能量时主要是受体型的，或者在低于价带0.3 eV的能量时主要是施主型的。

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