Step-wise surface oxidation mechanism of UHMCFs is shown inFig. 9. In 的简体中文翻译

Step-wise surface oxidation mechani

Step-wise surface oxidation mechanism of UHMCFs is shown inFig. 9. In the process of electrochemical surface oxidation, chemicaletching and oxidation firstly happened to the surfaces of UHMCFs,which could destroy surface ordered crystallites layer. As a result, anobvious increase happened to the ID/IG value (as shown in Table 5)when the current density increased from 0 to 1.0A/m2, which provedthat the disorder structures emerged. The chemical etching and oxidation also resulted in an initial decrease in the value of the tensilestrength of UHMCFs (Fig. 8). As the electrochemical surface oxidationprogressed, a strong oxidative reaction occurred with the current density more than 1.0 A/m2. The graphite crystallite layers of UHMCFsurfaces were broken or even peeled off in the in-depth oxidation. According to the research by Liu et al. [54], the in-depth oxidation of CFscould peel off the surface crystallites layer, as a result, the inside disorder structure exposed. Therefore, the ID/IG value of electrochemicallyoxidized CFs was higher than that of untreated CFs. However, the insideordered graphite structure rather than disorder structure showed up asthe outmost layer of UHMCF surfaces was peeled off. Therefore, the ID/IG value of oxidized UHMCFs decreased due to the ordered structureinside the fiber as the current density increased more than 1.0 A/m2(Table 5). Meantime, a larger number of oxygen-containing functionalgroups were introduced onto UHMCF surfaces. The in-depth oxidationcould possibly result in chemical crosslinks between graphite layers ofUHMCF surfaces, as shown in Fig. 9(3).
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UHMCFs的逐步表面氧化机理示于<br>图9中的电化学表面氧化,化学的方法<br>蚀刻和氧化首先发生UHMCFs的表面上,<br>这可能会破坏表面有序微晶层。其结果是,一个<br>明显的增加发生在ID / IG的值(如表5所示)<br>时的电流密度从0增加到1.0A / m 2的<br>,这证明<br>了无序结构出现了。化学蚀刻和OXI?dation也导致的拉伸值的初始下降<br>UHMCFs的强度(图8)。作为电化学表面氧化<br>的进行,一种强氧化反应发生与当前坑中减到超过1.0 A /平方米<br>。UHMCF的石墨微晶的层<br>表面被打破或者甚至在深度氧化剥离。AC?Liu等人盘带的研究。[54],CF的深入氧化<br>可能会剥落表面微晶层,其结果是,内部DIS?顺序结构露出。因此,电化学的ID / IG值<br>被氧化的CF比未处理的CF的更高。然而,内部<br>有序石墨结构而非结构紊乱出现了作为<br>UHMCF表面的最外层剥离。因此,ID / <br>氧化UHMCFs的IG值到有序结构减小由于<br>光纤内部的电流密度增加超过1.0 A /平方米<br>(表5)。同时,含氧官能更大数量的<br>基团被引入到UHMCF表面。深入氧化<br>可能可能导致的石墨层之间的化学交联<br>UHMCF表面,如示于图9(3)。
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UHMCF 的逐级表面氧化机制在<br>图9。在电化学表面氧化过程中,化学<br>蚀刻和氧化首先发生在UHMCF的表面,<br>可以破坏表面有序的晶体层。因此,<br>ID/IG 值明显增加(如表 5 所示)<br>当电流密度从0增加到1.0A/m2时<br>,这证明<br>紊乱结构出现。化学蚀刻和氧化也导致拉伸值最初下降<br>多地管理用的强数强度(图8)。作为电化学表面氧化<br>进展,当电流密度超过1.0 A/m2时,发生了强烈的氧化反应<br>.UHMCF的石墨结晶层<br>表面在深度氧化中破碎甚至剥落。根据刘等人的研究[54],CF的深入氧化<br>可剥离表面的结晶层,结果,内部无序结构暴露。因此,电化学的 ID/IG 值<br>氧化CF高于未经处理的CF。然而,内部<br>有序的石墨结构,而不是无序结构出现为<br>UHMCF表面最外层被剥落。因此,ID/<br>由于有序结构,氧化多氟辛酸的IG值降低<br>当电流密度增加超过 1.0 A/m2 时,光纤内部<br>(表5)。同时,更多的含氧功能<br>组被引入到UHMCF表面。深度氧化<br>可能导致石墨层之间的化学交联。<br>UHMCF 表面,如图 9(3) 所示。
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UHMCFs的阶梯式表面氧化机理如下<br>图9。在电化学表面氧化过程中<br>UHMCF的表面首先发生腐蚀和氧化,<br>破坏表面有序微晶层。因此,一个<br>ID/IG值明显增加(见表5)<br>当电流密度从0增加到1.0A/m2时<br>,这证明了<br>无序结构的出现。化学腐蚀和氧化也导致拉伸值的初始下降<br>UHMCF的强度(图8)。作为电化学表面氧化<br>当电流密度大于1.0A/m2时,发生了强烈的氧化反应<br>. UHMCF的石墨微晶层<br>在深度氧化过程中,表面被破坏甚至剥落。根据刘等人的研究。[54],CFs的深度氧化<br>会剥离表面的微晶层,从而暴露出内部的无序结构。因此,电化学的ID/IG值<br>氧化CFs高于未处理CFs。但是,内部<br>有序石墨结构而非无序结构表现为<br>UHMCF表面最外层被剥落。因此,身份证/<br>氧化UHMCFs的IG值因其有序结构而降低<br>当电流密度增加超过1.0 A/m2时,光纤内部<br>(表5)。同时,大量的含氧官能团<br>在UHMCF表面引入了一些基团。深度氧化<br>可能导致石墨层之间的化学交联<br>UHMCF表面,如图9(3)所示。
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