本文中，通过改变磁流变抛光过程中的相关工艺参数来抑制晶圆表面划痕的形成

本文中，通过改变磁流变抛光过程中的相关工艺参数来抑制晶圆表面划痕的形成，提高表面质量。

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In this paper, the formation of scratches on the wafer surface is suppressed and the surface quality is improved by changing the relevant process parameters during the magnetorheological polishing process.

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In this paper, by changing the relevant process parameters in the process of magnetic rheumating polishing, the formation of the surface scratches of the wafer is inhibited and the surface quality is improved.

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In this paper, the formation of scratches on the wafer surface is restrained and the surface quality is improved by changing the relevant technological parameters in the process of MRF polishing.<br>

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