Dense nanocrystalline BaTiO3 ceramics are prepared in a single step by的简体中文翻译

Dense nanocrystalline BaTiO3 cerami

Dense nanocrystalline BaTiO3 ceramics are prepared in a single step by the Cold Sintering Process at 300 ºC, under a uniaxial pressure of 520 MPa for 12 h using a molten hydroxide flux. Transmission electron microscopy reveals a dense microstructure with sharp grain boundaries. The average grain sizes are 75-150 nm depending on the flux amount. The dielectric permittivity is 700–1800 at room temperature at 106 Hz, with a dielectric loss, tanδ~ 0.04. The difference in permittivity and phase transition behavior are explained in terms of the intrinsic size effect of the BaTiO3. The nanocrystalline BaTiO3 ceramics still shows a macroscopic ferroelectric switching via a hysteresis loop. This work demonstrates that cold-sintering process could enable the densification of ferroelectric oxides in a single step. Futhermore, comparable dielectric properties to reported values for nanocrystalline grains are obtained, but at this time, with the lowest processing temperatures ever used.
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通过熔融烧结法在300℃,520 MPa的单轴压力下通过300℃的冷烧结工艺一步制备致密的纳米BaTiO3陶瓷。透射电子显微镜显示具有致密晶界的致密微观结构。取决于通量,平均晶粒尺寸为75-150nm。室温下106 Hz时的介电常数为700–1800,介电损耗tanδ〜0.04。介电常数和相变行为的差异是根据BaTiO3的固有尺寸效应来解释的。纳米晶BaTiO3陶瓷仍然显示出通过磁滞回线的宏观铁电转换。这项工作表明,冷烧结过程可以在一个步骤中使铁电氧化物致密化。此外,
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稠密的纳米结晶 BaTiO3 陶瓷在 300 oC 下通过冷烧结工艺在一步中制备,单轴压力为 520 MPa,使用熔融氢氧化通量 12 小时。透射电子显微镜揭示了具有锐粒边界的密集微观结构。根据通量量,平均粒径为 75-150 nm。在室温下,在106 Hz时,电介质允许率为700~1800,电介质损耗为0.04。允许率和相位转换行为的差异根据BaTiO3的内在大小效应来解释。纳米结晶 BaTiO3 陶瓷仍然通过滞后回路显示宏观铁电开关。这项工作表明,冷烧结过程可以一步使氧化铁的致密化。Futhermore,与纳米晶体颗粒报告值的电介质性能相当,但此时,加工温度是有史以来最低的。
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采用熔融氢氧化物熔剂,在单轴520mpa压力下,300℃冷烧结12h,一步制备出致密的纳米BaTiO3陶瓷。透射电子显微镜显示出致密的显微结构和尖锐的晶界。根据磁通量的不同,平均晶粒尺寸为75-150nm。在106赫兹的室温下,介电常数为700-1800,介电损耗tanδ~0.04。用BaTiO3的本征尺寸效应解释了介电常数和相变行为的差异。纳米钛酸钡陶瓷仍然表现出通过磁滞回线的宏观铁电开关。研究表明,冷烧结工艺可以使铁电氧化物的致密化一步到位。此外,还获得了与纳米晶晶粒的报告值相当的介电性能,但此时使用了有史以来最低的加工温度。
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