3.4.2 Hydrocarbon Outgassing: maxim

3.4.2 Hydrocarbon Outgassing: maximum allowed levels (ng/cm^2)3.4.3 Outgassing: maximum allowed levels (microgram/cm^2)3.4.4 Surface Concentration by IC: maximum allowed levels (10^12 Molecules/cm^2)3.4.5 Workmanship Standards for Textured Components3.4.6 UV (Black Light) Inspection3.4.7 Cosmetic Appearance3.4.8 Trace Metals: maximum allowed levels (10^10 Atoms/cm^2)3.4.9 Liquid Particle Counting: maximum allowed levels for particles greater than or equal to 0.2 micron in size (particles/cm^2)

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3.4.2碳氢化合物放气：最大允许水平（ng / cm ^ 2） 3.4.3气体放出：最大允许水平（微克/ cm ^ 2） 3.4.4 IC表面浓度：最大允许水平（10 ^ 12分子/ cm ^ 2） 3.4.5纹理组件的工艺标准 3.4.6紫外线（ 黑光）检查3.4.7外观 3.4.8微量金属：允许的最大含量（10 ^ 10原子/ cm ^ 2） 3.4.9液体颗粒计数：尺寸大于或等于0.2微米的颗粒的最大允许水平（颗粒/ cm ^ 2）

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3.4.2 碳氢化合物外加：最大允许水平（ng/cm^2） 3.4.3 出镜：最大允许水平（微克/厘米+2） 3.4.4 按IC分列的表面浓度：最大允许水平（10~12分子/cm^2） 3.4.5 纹理组件的工艺标准 3.4.6 紫外线（黑光）检查 3.4.7 化妆品外观 3.4.8 跟踪金属：最大允许水平（10×10 原子/cm^2） 3.4.9 液体颗粒计数：大于或等于 0.2 微米大小的颗粒的最大允许水平（颗粒/cm^2）

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3.4.2碳氢化合物脱气：最大允许水平（ng/cm^2） 3.4.3排气：最大允许水平（微克/厘米2） 3.4.4 IC表面浓度：最大允许水平（10^12分子/cm^2） 3.4.5变形部件的工艺标准 3.4.6紫外线（黑光）检查 3.4.7外观 3.4.8痕量金属：最大允许水平（10^10原子/cm^2） 3.4.9液体颗粒计数：粒径大于或等于0.2微米（颗粒/cm^2）的颗粒的最大允许水平

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