此外，研究结果表明，纳米复合GaAs在BTS基体中的掺入可以使k1+k

此外，研究结果表明，纳米复合GaAs在BTS基体中的掺入可以使k1+kb降低25%-70%，特别是在f=0.3wt%时，其最小值为0.23。

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In addition, the research results show that the incorporation of nanocomposite GaAs in the BTS matrix can reduce k1 + kb by 25% -70%, especially when f = 0.3wt%, its minimum value is 0.23.

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In addition, the results show that the doping of nanocomposite GaAs in the BTS substrate can reduce k1-kb by 25%-70%, especially when the minimum value of f-0.3wt%is 0.23.

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In addition, the results show that the incorporation of nano composite GaAs into BTS matrix can reduce K 1 + KB by 25% - 70%, especially when f = 0.3wt%, the minimum value is 0.23.

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