Isotropic etching, shown in Figure

Isotropic etching, shown in Figure 2.1(b), has etch rates independent of the crystallographic orientation. Isotropic etching allows undercut and cantilever structures to be produced. In bulk silicon, however, it is more difficult to control than anisotropic etching, and the level of agitation influences the results.

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各向同性蚀刻如图2.1（b）所示，其蚀刻速率与晶体学取向无关。各向同性蚀刻允许产生底切和悬臂结构。然而，在块状硅中，比各向异性蚀刻更难控制，并且搅拌的程度会影响结果。

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图2.1（b）所示的各向异性蚀刻具有与晶体方向无关的蚀刻速率。各向蚀刻允许生产下切和悬臂结构。然而，在散装硅中，比各向异性蚀刻更难控制，搅拌程度影响结果。

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各向同性蚀刻，如图2.1（b）所示，蚀刻速率与晶体取向无关。各向同性腐蚀允许产生咬边和悬臂结构。然而，在体硅中，它比各向异性腐蚀更难控制，搅拌程度影响结果。

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