传感器像素受强光照射时,亮点区域光照过强,像元光电二极管产生的光电子数超过可以存储的最大电子数,溢出的电子沿行或列进入相邻像素,使相邻区域也的日语翻译

传感器像素受强光照射时,亮点区域光照过强,像元光电二极管产生的光电子数

传感器像素受强光照射时,亮点区域光照过强,像元光电二极管产生的光电子数超过可以存储的最大电子数,溢出的电子沿行或列进入相邻像素,使相邻区域也饱和
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センサー画素に強い光が照射されると、輝点領域の光が強すぎて、画素のフォトダイオードで発生した光電子数が蓄積できる最大電子数を超え、溢れた電子が隣接する領域に入り込みます。行または列に沿ったピクセル、隣接する領域を飽和させる
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センサ画素が強い光を照射すると、輝点領域の光照射が強すぎ、画素フォトダイオードが発生する光電子数が記憶可能な最大電子数を超え、溢れ出た電子が行や列に沿って隣接画素に入り、隣接領域も飽和する
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センサ画素に強い光が当たると、輝点領域の光が強すぎて、絵素フォトダイオードで発生する光電子の数が蓄積可能な最大電子数を超え、溢れた電子が行または列に沿って隣接画素に入り、隣接領域も飽和する
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