By further modulatingthe molecular

By further modulatingthe molecular structure, BNBP-based polymer acceptor, P-BNBPfBT (P22) (Fig. 7) was developed, which is an alternating copolymer of BNBP unit and 3,30-difluoro-2,20-bithiophene (fBT) unit[101]. Because of the locked planar conformation of fBT unitsinduced by the F–S interaction, P-BNBP–fBT exhibited pseudostraight polymer backbone configuration and good crystallinity.Due to the high electron mobility and matching energy levels,all-PSCs based on PTB7–Th/P-BNBP-fBT exhibited a PCE of6.26% with a remarkable Voc of 1.07 V and low energy loss (Eloss)of 0.51 eV. Beaujuge and coworkers developed an all-thiophenesystem n-type polymer, PTPD[2F]T (P2325) (Fig. 7), which iscomposed of thieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione (TPD) and 3,4-difluorothiophene ([2F]T) motifs [102].

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通过进一步调节 分子结构，开发了基于BNBP的聚合物受体P-BNBPfBT（P22）（图7），它是BNBP单元与3,30- 二氟 -2,20-联噻吩（fBT）的交替共聚物。单位 [101]。由于 F–S相互作用引起的fBT单元的平面构型锁定，P-BNBP–fBT表现出假直链聚合物主链构型和良好的结晶度。 由于高的电子迁移率和匹配的能级， 基于PTB7-Th / P-BNBP-fBT的全PSC的PCE达到 6.26％，VOC为1.07 V，低能量损耗（Eloss） 为0.51 eV。Beaujuge及其同事开发了一种全噻吩 系统的n型聚合物PTPD [2F] T（P2325）（图7）， 由噻吩并[3,4-c]吡咯-4,6-二酮（TPD）和3,4- 二氟噻吩（[2F] T）基序组成[102]。

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By further modulating the molecular structure, BNBP-based polymer acceptor, P-BNBPfBT (P22) (Fig. 7) was developed, which is an alternating copolymer of BNBP unit and 3,30 -difluoro-2,20 -bithiophene (fBT) unit [101]. Because of the locked planar conformation of fBT units induced by the F–S interaction, P-BNBP–fBT exhibited pseudostraight polymer backbone configuration and good crystallinity. Due to the high electron mobility and matching energy levels, all-PSCs based on PTB7–Th/P-BNBP-fBT exhibited a PCE of 6.26% with a remarkable Voc of 1.07 V and low energy loss (Eloss) of 0.51 eV. Beaujuge and coworkers developed an all-thiophene system n-type polymer, PTPD[2F]T (P2325) (Fig. 7), which is composed of thieno[3,4-c]pyrrole-4,6-dione (TPD) and 3,4- difluorothiophene ([2F]T) motifs [102].

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通过进一步调节 分子结构，BNBP基聚合物受体，P-BNBPfBT（P22）（图7）是BNBP单元和3,30的交替共聚物 -二氟-2,20 -二噻吩（fBT）装置 [101]。因为fBT单元的平面构象是锁定的 在F-S相互作用诱导下，P-BNBP-fBT表现出假直主链结构和良好的结晶性。 由于高电子迁移率和匹配的能级， 所有基于PTB7–Th/P-BNBP-fBT的psc表现出 6.26%，Voc为1.07 V，能耗低（Eloss） 0.51电子伏。Beaujuge和他的同事开发了一种全噻吩 系统n型聚合物，PTPD[2F]T（P2325）（图7），即 由噻吩[3,4-c]吡咯-4,6-二酮（TPD）和3,4组成- 二氟噻吩（[2F]T）基序[102]。

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