박막 트랜지스터(TFT, thin film transistor)

박막 트랜지스터(TFT, thin film transistor)는 미세하고 얇은 막의 모양으로 만든 소형 증폭관으로써, 게이트(gate), 소스(source) 및 드레인(drain)을 구비하는 삼단자 소자이다. 종래에는 박막 트랜지스터의 채널층으로다결정(polycrystalline) 실리콘막 또는 비정질(amorphous) 실리콘막을 주로 이용하였다. 그러나 다결정 실리콘막의 경우 다결정 입자 계면에서 일어나는 전자의 산란으로 전자 이동도가 제한되고, 비정질 실리콘막의 경우전자 이동도가 매우 낮고 시간에 따른 소자의 열화가 발생하여 소자의 신뢰성이 매우 낮아지는 문제점을 지니고있다. 따라서 최근에는 비정질 혹은 나노 결정질이면서 전자 이동도가 매우 뛰어난 산화아연계 박막을 TFT 채널층으로 형성하려는 연구가 이루어지고 있다.

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薄膜晶体管（TFT）是制成细且薄膜状的小放大管，并且是具有栅极，源极和漏极的三端子装置。传统上，多晶硅膜或非晶硅膜主要用作薄膜晶体管的沟道层。然而，在多晶硅膜的情况下，由于电子在多晶硅颗粒界面处的散射而限制了电子迁移率，在非晶硅膜的情况下，电子迁移率非常低，并且随着时间的流逝使器件劣化，导致器件的可靠性非常低。有。因此，近年来，已经进行了研究以形成非晶态或纳米晶态并且具有优异的电子迁移率的基于氧化锌的薄膜作为TFT沟道层。

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薄膜晶体管（TFT，thin film transistor）是一个小型扩增管，由细细膜的形状制成，是具有栅极（门）、源（源）和漏极（漏极）的三端子元件。传统上，它主要使用硅膜或非晶（非晶）硅膜作为薄膜晶体管的通道层。然而，在多晶硅膜的情况下，电子运动度被限制在多晶颗粒表面发生的电子散射中，在非晶硅膜的情况下，电子移动度非常低，并且由于元件随时间而变得不热，因此存在元件可靠性非常低的问题。因此，最近进行了研究，以形成氧化亚系统薄膜，如非晶或纳米晶体，电子运动性非常好，在TFT通道层。

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薄膜晶体管（TFT，thin film transistor）是一个细微而薄的膜状的小型增幅管，是一个拥有门（gate）、源（source）和排水（drain）的三个端子元件。一直以来，薄膜晶体管的通道层主要利用多晶硅膜或非晶质硅膜。但是，多晶硅膜由于多晶体表面产生的电子产卵，电子移动度受到限制，非晶质硅膜的电子移动度非常低，随着时间的变化，产生了元件的可靠性非常低的问题。因此，最近正在进行将非正常或纳米结晶质、电子移动度非常高的氧化锌薄膜形成TFT频道层的研究。<br>

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