在缺陷构造中，缺陷能级通常在导带以下产生，并且当光生电子转移到N2分子

In der Defektstruktur wird das Defektenergieniveau normalerweise unterhalb des Leitungsbandes erzeugt, und wenn photogenerierte Elektronen auf das N2-Molekül übertragen werden, werden sie häufig zuerst auf das Defektenergieniveau übertragen. Aufgrund der niedrigeren Energieband-Energie des Defektniveaus geht während der Übertragung etwas Energie verloren [1]. Die Relaxation der Elektronenenergie verringert die Leistung des Elektronentransfers auf N2-Moleküle, wodurch die Übertragungseffizienz verringert wird.

Bei der Defektkonstruktion wird das defekte Energieniveau in der Regel unterhalb des Führungsbandes erzeugt, und wenn die Photoelektronen auf das N2-Molekül übertragen werden, werden sie oft zuerst auf das Defektenergieniveau übertragen. Durch die geringe Energiebandenergie des defekten Energieniveaus geht bei der Übertragung etwas Energie verloren. Die Entspannung der elektronischen Energie reduziert die Leistung von Elektronen auf das N2-Molekül und reduziert so die Transmissionseffizienz.

In defect structure, the defect energy level is usually generated below the conduction band, and when photogenerated electrons transfer to N2 molecule, they usually transfer to the defect energy level first. Because the band energy of defect level is low, some energy will be lost in the transmission process [1]. The relaxation of electron energy will reduce the power of electron transfer to N2 molecule, thus reducing the transmission efficiency.<br>