632/5000<br>我们通过实验证明了第一个负面因素<br>电容碳纳米管FET(CNFET),结合<br>碳纳米管通道和负极的好处<br>电容效应。 我们展示了负电容<br>CNFET,达到低于60 mV /十年的亚阈值斜率<br>平均亚阈值斜率为55 mV /十倍<br>室内温度。 这些的平均导通电流(ION)<br>负电容CNFET相对于前者提高2.1倍<br>基线CNFET(即无负电容)用于<br>相同的关断电流(IOFF)。 这项工作展示了<br>为子孙后代节能的前途之路<br>电子系统。
正在翻译中..