Conventional or traditional sintering entails the heating of materials的简体中文翻译

Conventional or traditional sinteri

Conventional or traditional sintering entails the heating of materials at comparatively high temperatures, T=Tm/2, where Tm is the melting point, and under not too high pressure, P=0.2 GPa (2.0kBar), across a time frame from minutes to hours. These conditions ensure the adhesion and densification of powder through numerous diffusion dependent processes, including surface and grain boundary diffusion [20].Depending on the materials under consideration,the sintering temperature range for conventional sintering technique is at high temperatures typically =1000 °C to facilitate the mass transport processes that allows atoms, cations or molecular groups to diffuse [16]. This mass transport mechanism reduces the surface area of the particulates whilst eliminating porosity [23]. At high temperatures, the fine particles go through numerous changes from particle rearrangement, grain growth and pore elimination. In conventional sintering, energy is transported to the material via conduction and radiation of heat from the surface (i.e. energy transfer is induced by external heating source whereby heat flow is from outside to inside and is not dependent on the materials under consideration)[24].
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传统或传统烧结需要在从几分钟到20分钟的时间范围内,在相对较高的温度T = Tm / 2(其中Tm为熔点)和不太高的压力下加热材料P = 0.2 GPa(2.0kBar)下加热材料。小时。这些条件通过许多依赖于扩散的过程(包括表面和晶界扩散)来确保粉末的粘附和致密化[20]。根据所考虑的材料,常规烧结技术的烧结温度范围通常在高温下= 1000°C至促进了允许原子,阳离子或分子基团扩散的质量传输过程[16]。这种传质机制减少了颗粒的表面积,同时消除了孔隙[23]。在高温下 细颗粒经历了颗粒重排,晶粒长大和消除孔洞的众多变化。在传统的烧结中,能量通过表面的热传导和辐射传输到材料上(即能量转移是由外部热源引起的,因此热量从外到内流动,不取决于所考虑的材料)[24] 。
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传统或传统的烧结要求在相对较高的温度(T=Tm/2)下加热材料,Tm 是熔点,在压力不是太高的情况下,P=0.2 GPa (2.0kBar)在几分钟到几小时之间。这些条件通过许多扩散相关过程(包括表面和颗粒边界扩散[20])确保粉末的粘附和致密性。根据所考虑的材料,传统烧结技术的烧结温度范围通常在高温下通常为 ±1000 °C,以方便允许原子、阳离子或分子群扩散的大众运输过程 [16]。这种大宗运输机构减少了颗粒物的表面积,同时消除了孔隙度[23]。在高温下,细颗粒会经历粒子重排、颗粒生长和孔隙消除等无数变化。在传统的烧结中,能量通过传导和从表面辐射的热量输送到材料(即能量转移是由外部加热源引起的,热流从外部流向内部,并且不依赖于所考虑的材料)[24]。
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传统或传统烧结需要在相对较高的温度下加热材料,T=Tm/2,其中Tm为熔点,在不太高的压力下,P=0.2gpa(2.0kBar),时间范围从几分钟到几小时。这些条件通过许多扩散相关过程(包括表面和晶界扩散)确保粉末的粘附和致密化[20],传统烧结技术的烧结温度范围通常为1000°C,以促进原子、阳离子或分子群扩散的传质过程[16]。这种质量传输机制减少了微粒的表面积,同时消除了孔隙率[23]。在高温下,细颗粒经历了颗粒重排、晶粒长大和孔隙消除等过程。在传统烧结中,能量通过表面热的传导和辐射传递到材料上(即能量传递是由外部热源引起的,由此热量从外部流向内部,不依赖于所考虑的材料)[24]。
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