Chromium films were deposited by co

Chromium films were deposited by cooled and hot target magnetron sputtering techniques with unbalanced magnetic field configuration at equal target power density. The dependence of deposition rates of Cr films by the hot target magnetron sputtering on the power density was a non-linear at 27.5–31.5 W/cm2. The optical emission studies indicated the enhancement of deposition rates due to the evaporation of the hot Cr target. The chromium film structure was strongly depended on the factor of «hot target» and the target power density. Cr films were structured to (110) direction in the case of the hot target sputtering, for cooled target configuration – the preferred orientation was changed from (110) to (200) with the power density. Cr+ to Cr ratio and heat flow from the cathode to the substrate influenced on the coating hardness and adhesion. The Cr films with 9.84–12.79 GPa and the non-cracking behavior (up to 15 N) were obtained

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通过冷却和热靶磁控溅射技术以相等的靶功率密度沉积具有不平衡磁场配置的铬膜。热靶磁控溅射沉积Cr膜的沉积速率与功率密度的关系在27.5–31.5 W / cm2处呈非线性。光学发射研究表明，由于热铬靶材的蒸发，沉积速率得以提高。铬膜的结构很大程度上取决于“热靶”的因素和靶的功率密度。在热靶溅射的情况下，Cr膜在（110）方向上结构化，以用于冷却的靶配置–根据功率密度，首选方向从（110）更改为（200）。Cr +与Cr的比例以及从阴极到基材的热流会影响涂层的硬度和附着力。

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铬膜由冷却和热目标磁控机溅射技术沉积，在相等的目标功率密度下具有不平衡的磁场配置。热目标磁控管溅射对功率密度的Cr膜沉积速率的依存度是非线性的，为27.5~31.5 W/cm2。光学发射研究表明，由于热Cr目标的蒸发，沉积速率提高了。铬膜结构很大程度上依赖于[热靶点]因子和目标功率密度。在热目标溅射的情况下，Cr 薄膜被构造为（110）方向，用于冷却目标配置 - 首选方向从功率密度从（110）更改为（200）。Cr+ 与 Cr 比和热流从阴极流向基板，影响涂层硬度和附着力。获得 9.84~12.79 GPa 的 Cr 薄膜和不开裂行为（高达 15 N）

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采用冷靶和热靶磁控溅射技术，在等靶功率密度下，采用非平衡磁场结构制备了铬膜。热靶磁控溅射沉积Cr薄膜的速率与功率密度在27.5～31.5w/cm~2之间呈非线性关系。光发射研究表明，热铬靶的蒸发提高了沉积速率。铬膜的结构与热靶因子和靶功率密度密切相关。对于冷靶结构，在热靶溅射的情况下，Cr薄膜的结构为（110）方向，随着功率密度的增加，择优取向从（110）改变为（200）。铬与铬的比值和阴极到基体的热流对涂层硬度和附着力有影响。获得了9.84～12.79gpa的Cr膜，且无开裂行为（15n以下）<br>

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