FIG.32 (a) Dependence on the gate v

FIG.32 (a) Dependence on the gate voltage of the current I through 250 parallel narrow Si inversion layer channels at 1.2 K, showing the electric depopulation of subbands. (b) The effect is seen more clearly in the transconductance dI/dVG. Note the absence of universal conductance fluctuations, which have been averaged out by the large number of channels. Taken from A. C. Warren et al., IEEE Electron Device Lett. EDL-7, 413 (1986).

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图32上的电流I的栅极电压（a）中通过依赖250个平行的窄的Si反转层通道在1.2 K，示出的子带的电灭绝。（b）中的作用在跨导的dI / DVG看得更清楚。注意没有普遍电导波动，这已被大量的通道平均掉的。从AC华伦等人，IEEE电子器件快报服用。EDL-7，413（1986）。

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图32（a）依赖电流I的栅极电压，通过250个平行窄Si反转层通道在1.2K，显示子带的电减少。（b）在转导dI/dVG中可以更清楚地看到这种影响。请注意，不存在通用电导波动，这些波动是由大量通道求平均值的。取自A.C.沃伦等人，IEEE电子装置莱特。EDL-7， 413 （1986）。

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图32（a）在1.2k下通过250个平行窄Si反转层通道的电流I的栅极电压的依赖关系，显示子带的电去填充。（b）这种效应在跨导dI/dVG中更为明显。注意没有普遍的电导涨落，这已经被大量的通道平均了。摘自A.C.Warren等人的《IEEE电子设备通讯》。EDL-7413（1986年）。

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