The fabrication of a functional mul

The fabrication of a functional multilayer varistor (MLV) device at a record low temperature was demonstrated using the cold sintering co-fired ceramic (CSCC) technology. In this MLV device, a small volume fraction of polyetherimide (PEI) polymer is used to engineer ZnO grain boundaries, a base metal was used as internal electrodes. One of the key points in the process was the use of a Polypropylene carbonate (QPACTM-40) binder system to fabricate the ZnO/PEI tape. This binder system allowed a clean binder burnout procedure at low temperature under N2-H2 forming gas to avoid oxidation of the base metal electrode. The fabricated device highlighted a clean interface between the metal and ceramic/polymer composite, observed by STEM-EDS mapping. A nonlinear current-voltage response following the creation of double Schottky barrier was demonstrated in the structure-property relationship investigation. The concept presented in this study offers the possibility to fabricate multilayer devices for other types of applications at low temperatures

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使用冷烧结共烧陶瓷（CSCC）技术证明了在创纪录的低温下制造功能多层压敏电阻（MLV）器件的过程。在该MLV器件中，使用少量的聚醚酰亚胺（PEI）聚合物来设计ZnO晶界，并使用贱金属作为内部电极。该过程的关键点之一是使用聚碳酸亚丙酯（QPACTM-40）粘合剂系统来制造ZnO / PEI胶带。该粘合剂体系允许在低温下在N2-H2形成气体下进行清洁的粘合剂烧尽程序，以避免贱金属电极的氧化。通过STEM-EDS映射观察，所制造的设备突出了金属与陶瓷/聚合物复合材料之间的清洁界面。在结构-特性关系研究中证实了在建立双肖特基势垒之后的非线性电流-电压响应。本研究中提出的概念为在低温下制造用于其他类型应用的多层器件提供了可能性

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使用冷烧结共烧陶瓷（CSCC）技术，在创纪录的低温下制造功能性多层耐火器（MLV）装置。在这个MLV器件中，聚热酰胺（PEI）聚合物的一小部分用于设计ZnO晶粒边界，基体金属用作内部电极。该工艺的关键点之一是使用聚丙烯碳酸盐（QPACTM-40）粘合剂系统来制造 ZnO/PEI 胶带。此粘结剂系统允许在低温下在 N2-H2 成型气体下进行清洁的粘合剂烧坏程序，以避免基金属电极氧化。通过STEM-EDS映射，该制造的装置突出了金属和陶瓷/聚合物复合材料之间的干净界面。在结构-属性关系调查中，证明了双肖特基屏障产生后非线性电流电压响应。本研究提出的概念为在低温下为其他类型的应用制造多层设备提供了可能性

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利用冷烧结共烧陶瓷（CSCC）技术，在创纪录的低温下制备出功能性多层压敏电阻（MLV）器件。在这种MLV器件中，小体积分数的聚醚酰亚胺（PEI）聚合物被用于修饰ZnO晶界，基底金属被用作内部电极。该工艺的关键之一是采用碳酸聚丙烯酯（QPACTM-40）粘合剂体系制备ZnO/PEI带。该粘合剂系统允许在低温下，在N2-H2成型气体下进行清洁的粘合剂烧尽程序，以避免基底金属电极的氧化。通过STEM-EDS图谱观察，制造的器件突出了金属和陶瓷/聚合物复合材料之间的干净界面。在结构-性能关系研究中，证明了双肖特基势垒产生后的非线性电流-电压响应。在这项研究中提出的概念提供了在低温下制造用于其他类型应用的多层器件的可能性<br>

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