已知当两种半导体(这里是Bi2Te2.7Se0.3和GaAs)相互接触

已知当两种半导体(这里是Bi2Te2.7Se0.3和GaAs)相互接触时，由于两种半导体的化学势不同，会产生一个(这里是n-n型)异质结界面势(barrier)

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It is known that when two semiconductors (here Bi2Te2.7Se0.3 and GaAs) are in contact with each other, due to the different chemical potentials of the two semiconductors, a (here nn-type) heterojunction interface barrier will be generated.

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It is known that when two semiconductors (here is Bi2Te.7Se0.3 and GaAs) come into contact with each other, a heterogeneous junction (hereis, n-n) is produced due to the different chemical potentials of the two semiconductors (hereis, the n-n type)

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It is known that when two semiconductors (bi2te2.7se0.3 and GaAs) are in contact with each other, a (N-N type) heterostructure interface potential (barrier) will be generated due to the different chemical potential of the two semiconductors<br>

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