众所周知,当两个半导体(这里Bi2Te2.7Se0.3和砷化镓)相互接

众所周知,当两个半导体(这里Bi2Te2.7Se0.3和砷化镓)相互接触,产生一个(这里n n)型异质结势(屏障)接口由于不同的化学势的两个半导体,这可能会导致能量依赖性散射(EFE)

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Known, when two semiconductor (GaAs and Bi2Te2.7Se0.3 herein) contact with each other, generating a (where nn) heterojunction potential (barrier) since the interface of two different chemical potential of the semiconductor, which may result in energy-dependent scattering (EFE)

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It is well known that when two semiconductors (Bi2Te2.7Se0.3 and gallium arsenide) come into contact with each other, a (n n) heterogeneous junction (barrier) interface is produced due to two semiconductors with different chemical potentials, which can lead to energy-dependent scattering (EFE)

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It is well known that when two semiconductors (bi2te2.7se0.3 and gallium arsenide) contact with each other, a heterojunction potential (barrier) interface (N-N) is generated. Due to different chemical potentials of two semiconductors, this may lead to energy dependent scattering (EFE)<br>

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