リーケージ（漏洩）インダクタンス図２において、（１－ｋ）の項を含む信号

リーケージ（漏洩）インダクタンス図２において、（１－ｋ）の項を含む信号源に対して直列に記載されたインダクタンスがリーケージインダクタンスです。理想的なトランスでは結合係数ｋ＝１となりリーケージインダクタンスの存在はなくなりますが、ｋ＝１にすることは現実的には不可能で、できるだけｋ＝１に近づけるように巻線構造、材質、コア形状などの工夫選択をすることになります。ｋ＝１に近づけリーケージインダクタンスを少なくしようとすると一般に寄生パラメータである他方図２の巻線間容量Cw および、巻線分布容量Cd の増加を伴うことになります。逆に、寄生容量を少なくするような工夫をすると、リーケージインダクタンスが大きくなってしまいます。パルストランスにおけるこれらのパラメータは、トランスの上限の伝送帯域を支配します。パルスレスポンスでは立上り、立下り時間に影響します。高速のパルストランスでは、これら2つのパラメータはトレードオフの関係になります。リーケージインダクタンスは洩れ磁束により生じています。リーケージインダクタンスの計測は2 次側端子を短絡し、1 次側のインダクタンスを計測します。一般には1 次インダクタンスLp と同じ周波数、印加電圧で計測しますが、Lp のように周波数に対してリーケージインダクタンスの値はあまり支配されません。