MoS2 dökme malzemesinin bant aralığ

MoS2 dökme malzemesinin bant aralığı çok dar, yaklaşık 1.17 eV'dir ve yapay olarak düzenlenir. MoS2 tek katmanlı bant boşluğunun genişliği 1,91 eV'ye yükseltilebilir, bu da bant boşluğunu görünür ışığı emmede çok etkili hale getirir. Çok parametreli atomik koordinasyon ve özel elektronik yapı, çok yüksek bir taşıyıcı aktarım hızı sağlar (200 cm'den büyük (V-1 • S-1) [10] Nano NanoS malzeme büyük bir özgül yüzey alanına ve yüksek adsorpsiyon kapasitesine sahiptir. katalitik olarak yerleşir ve daha yüksek reaktiviteye sahiptir MoS2 teorik olarak çok iyi bir ideal fotokatalizör olmasına rağmen, reaksiyon aktivasyon bölgeleri esas olarak yüzeyin kenarlarındaki doymamış kükürt içinde konsantre edilir. Taban yüzeyindeki en yüksek sülfür içeriği genellikle etkisiz olarak kabul edilir, ikincisi, MoS2 kristallerindeki aglomerasyon ve sınırların otomatik olarak kapanması sorunu doğrudan yetersiz sayıda aktif fotokatalizör merkezine yol açacaktır ve fotojenere taşıyıcıların oluşturulması kolaydır. Çoğu rekombinasyon arayüzde gerçekleşir, bu nedenle MoS2 fotokataliz araştırmalarının çoğunda hala emekleme aşamasındadır.