In summary, the three-phase PZT–NZF/CF composite thick flexible films,的简体中文翻译

In summary, the three-phase PZT–NZF

In summary, the three-phase PZT–NZF/CF composite thick flexible films, as well as pure PVDF and PZT–PVDF films were successfully fabricated by hot press method. SEM results showed that the ceramic particles of ferroelectric and ferrite phases were dispersed homogeneously in the PVDF matrix while AFM confirmed that the size of the particles is around 30 nm. P–E hysteresis loops of PVDF–PZT–ferrite show unsaturated lossy loop which is further ascribed to the relatively high conductivity of NZF/CF phases. Leakage current density measurements confirmed that NZF-containing composites are less conductive than CF-containing ones. Magnetic measurements confirmed that the higher Mr is observed in semi-hard PZT–CF composites in comparison with soft PZT–NZF films. The existence of ferroelectric PZT phase, and its increase, result in decrease of all magnetic parameters. Value of dielectric constant of pure PVDF film (~10) is found to be enlarged by addition of PZT and PZT–NZF/CF fillers and the values are around 30 and 22, respectively
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总之,通过热压法成功地制备了三相PZT-NZF / CF复合厚柔性膜,以及纯PVDF和PZT-PVDF膜。SEM结果表明,铁电相和铁氧体相的陶瓷颗粒均匀地分散在PVDF基质中,而AFM证实颗粒尺寸约为30 nm。PVDF-PZT-铁氧体的PE磁滞回线显示出不饱和损耗环,这进一步归因于NZF / CF相的相对较高的电导率。泄漏电流密度测量结果证实,含NZF的复合材料的导电性低于含CF的复合材料。磁测量结果证实,与软PZT-NZF薄膜相比,半硬PZT-CF复合材料的Mr更高。铁电PZT相的存在及其增加,导致所有磁参数降低。发现通过添加PZT和PZT-NZF / CF填料可以增加纯PVDF薄膜的介电常数(〜10)值,该值分别为30和22左右。
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总之,三相 PZT-NZF/CF 复合厚柔性薄膜,以及纯 PVDF 和 PZT-PVDF 薄膜都是通过热压机方法成功制造的。SEM结果表明,铁电和铁氧体相位的陶瓷颗粒在PVDF矩阵中均匀分布,而AFM则确认颗粒大小在30nm左右。P-E 歇斯底里循环的PVDF-PZT-铁氧体显示不饱和的损失循环,这进一步归因于NZF/CF相的相对较高的电导率。泄漏电流密度测量证实,含NZF的复合材料比含氟氯联苯的复合材料电导性更差。磁性测量证实,与软 PZT-NZF 薄膜相比,半硬 PZT-CF 复合材料中观测到的 Mr 更高。铁电PTZT相的存在及其增加,导致所有磁参数的降低。纯PVDF薄膜(+10)的介电常数值通过添加 PZT 和 PZT-NZF/CF 填充物而放大,值分别为 30 和 22 左右
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总之,采用热压法制备了三相PZT-NZF/CF复合厚膜,以及纯PVDF和PZT-PVDF薄膜。SEM结果表明,铁电相和铁氧体相陶瓷颗粒在PVDF基体中均匀分布,AFM证实颗粒尺寸在30nm左右。PVDF-PZT铁氧体的P-E磁滞环显示出不饱和损耗环,这进一步归因于NZF/CF相的相对高导电性。漏电流密度测量证实,含氮化锌复合材料的导电性比含碳纤维的低。磁测量证实,与软PZT-NZF薄膜相比,半硬PZT-CF复合材料中的Mr值较高。铁电PZT相的存在及其增加导致所有磁性参数的降低。通过添加PZT和PZT-NZF/CF填料,可使纯PVDF薄膜(~10)的介电常数增大,其介电常数分别为30和22<br>
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