2.GMR回転センサ車載用回転センサは,エンジンやトランスミッションの動作を歯車の回転として検出する。当社は,GMR素子の適用によって,車載的简体中文翻译

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2.GMR回転センサ車載用回転センサは,エンジンやトランスミッションの動作を歯車の回転として検出する。当社は,GMR素子の適用によって,車載用回転センサの高精度・高信頼性を実現した。また,アイドルストップシステムに好適なPWM出力方式逆回転検出GMR回転センサを開発し,2012年に製品化した。2. 1 構造と検出方式図1 はGMR回転センサの内部構成である。センサの先端部にGMR素子と磁石があり磁気回路を構成する。IC(Integrated Circuit) は過電圧・サージ保護用及びEMC(Electoro Magnetic Compatibility)用チップ部品とともにパッケージ化しており,これらを樹脂で一体成形している。図2 はGMR素子の特性曲線(MR(Magneto Resistance)カーブ)である。センサ内蔵の磁石によってGMR素子にはバイアス磁界が与えられている。歯車の回転によって歯が近づくと素子に印加される磁界が大きくなり,素子の電気抵抗が小さくなる。GMR素子はGMR膜をパターニングしたものである。GMR膜は数nmの厚さの磁性層と非磁性層を積層した多層膜で,磁性層/非磁性層界面での電子の散乱確率が磁性層
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2。GMR旋转传感器<br>车内旋转传感器<br>将发动机和变速箱的运行作为齿轮的旋转进行检测。GMR元件公司<br>通过应用真正高精确度和可靠性的车辆旋转传感器<br>揭晓。<br>我们还<br>开发了适用于怠速停止系统的PWM输出型反向旋转检测GMR旋转传感器,并于2012年实现了商业化。<br>2.1结构和检测方法<br>图1显示了GMR旋转传感器的内部配置。先前的传感器<br>GMR元件和末端的磁铁构成一个磁路。IC <br>(集成电路)<br>与用于过压/电涌保护和EMC (电磁场兼容性)的芯片部件一起<br>封装在一起,并与树脂一体成型。<br>图2是GMR元件的特性曲线(MR(磁阻)<br>曲线)。传感器内置的磁铁向GMR元件<br>施加了偏磁场。当齿<br>由于齿轮的旋转而接近时,施加到元件上的磁场增加并且元件的<br>电阻减小。<br>GMR元件是GMR膜的图案。<br>GMR膜是其中层叠有厚度为几nm的磁性层和非磁性层的多层<br>膜,并且在磁性层/非磁性层界面处的电子散射概率为磁性层。
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2. GMR旋转传感器<br>车载旋转传感器用于发动机和变速箱<br>将操作检测为齿轮的旋转。 本公司是GMR元件的<br>通过应用,车载旋转传感器的高精度、高可靠性<br>出现。<br>另外,适用于怠速停止系统PWM输出方式<br>开发反向旋转检测GMR旋转传感器,2012年商业化。<br>2. 1 结构和检测方法<br>图 1 是 GMR 旋转传感器的内部配置。 传感器目的地<br>末端有GMR元件和磁铁,构成磁路。 IC<br>(Integrated Circuit) 用于过压浪涌保护和 EMC<br>(Electoro Magnetic Compatibility)用芯片部件<br>封装,这些用树脂一体成形。<br>图2是GMR元件特性曲线(MR(Magneto Resistance)<br>曲线)。 通过内置传感器磁铁,GMR元件<br>偏置磁场被给出。 齿轮的旋转使齿<br>接近时施加在元件上磁场变大,<br>电阻减小。<br>GMR元件是GMR膜的图案化元件。<br>GMR膜是层叠了数nm厚度磁性层和非磁性层的多层<br>在薄膜中,磁性层/非磁性层界面上电子的散射概率为磁性层
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2.GMR旋转传感器<br>车载旋转传感器<br>检测动作作为齿轮的旋转。本公司对GMR元件的<br>通过应用,实现了车载旋转传感器的高精度和高可靠性<br>露出来了。<br>另外,适用于偶像停止系统的PWM输出方式<br>开发了反旋转检测GMR旋转传感器,并于2012年产品化。<br>2.1结构和检测方式<br>GMR内部旋转构成。传感器前端<br>端部有GMR元件和磁铁,构成磁电路。IC<br>(Integrated Circuit)用于过电压浪涌保护及EMC<br>(Electoro Magnetic Compotibility)连同芯片部件一起<br>包装化,用树脂将其一体成型。<br>图2是GMR元件的特性曲线(MR(Magneto Resistance)<br>曲线球)。根据传感器内置的磁铁,GMR元件<br>被赋予偏压磁场。齿轮转动导致牙齿开裂<br>靠近时,施加到元件的磁场变大,元件的电<br>电阻变小。<br>GMR元件是对GMR膜进行图案化后的产物。<br>GMR膜是层叠几nm厚的磁性层和非磁性层的多层膜<br>磁性层/非磁性层界面处电子的散射概率为
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