为了防止膜在晶片斜面上剥离，在元件隔离形成工艺中增加了仅去除氮化膜上的

为了防止膜在晶片斜面上剥离，在元件隔离形成工艺中增加了仅去除氮化膜上的氧化膜的工艺。

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To prevent the release film on the wafer bevel, the formation process increases the process of removing only the nitride film of the oxide film in the element isolation.

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In order to prevent the film from being stripped on the wafer slope, the process of removing only the oxide film from the nitride film has been added to the component isolation formation process.

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In order to prevent the film from peeling off the inclined surface of the wafer, a process of removing only the oxide film on the nitride film was added to the component isolation formation process.<br>

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