도 7은 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장 장치의 제어 방법을 나타내는 순서도이다. [0055]도 7에 도시된 바와 같이, 본 的简体中文翻译

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도 7은 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장 장치의 제어 방법을 나타내는 순서도이다. [0055]도 7에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 단결정 잉곳 성장 장치의 제어 방법은 단결정 잉곳의 길이를 설정 [0056]하는 단계(S10), 단결정 잉곳의 길이에 따른 목표 직경, 목표 인상 속도, 목표 온도를 설정하는 단계(S20), 목표 직경과 실제 직경을 비교 연산하여 보정 인상 속도를 생성하고 인상 속도를 제어하는 단계(S30), 평균 인상속도를 목표 인상 속도로 보정해 주는 단계(S40), 평균 인상 속도와 목표 인상 속도를 비교하여 보상 신호를 생성하는 단계(S50), 보상 신호와 목표 온도 및 실제 온도를 비교 연산하여 보상 온도를 생성하고 제어하는 단계(S60)를 포함한다.단결정 잉곳을 성장시키는 공정을 시작하면, 단결정 잉곳의 길이를 설정하는 단계(S10)에서는 잉곳 길이 설정부 [0057]에 의해 단결정 잉곳의 길이를 설정해 준다.그리고, 단결정 잉곳의 길이에 따른 목표 직경, 목표 인상 속도, 목표 온도를 설정하는 단계(S20)에서는 목표치 [0058]설정부가 단결정 잉곳을 제조하는 공정 중에 단결정 잉곳의 품질을 좌우하는 요인들의 목표치를 설정해 준다.여기서, 목표치 설정부는 목표 직경 설정부, 목표 인상 속도 설정부, 목표 온도 설정부를 포함하며, 잉곳 길이설정부에 의해 성장하고자 하는 잉곳의 길이가 설정되면, 단결정 잉곳의 길이에 따라 목표 직경, 목표 인상 속도, 목표 온도를 설정해 줄 수 있다.또한, 단결정 잉곳의 길이에 따른 목표 직경, 목표 인상 속도, 목표 온도를 설정하는 단계(S20)에서는 목표 인 [0059]상 속도의 상한치와 하한치를 더 설정해 줄 수 있다.
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图7是示出根据实施例的用于控制单晶锭生长设备的方法的流程图。参照图7 <br>,根据本实施例的单晶锭生长装置的控制方法包括<br>设置单晶锭长度的步骤(S10)、根据单晶锭长度的目标直径、目标升高设置速度和目标温度(S20),<br>通过比较目标直径和实际直径并控制拉动速度来生成校正拉动速度(S30),<br>将平均拉动速度校正为目标拉动速度(S40),通过以下方式产生补偿信号比较平均提拉速度与目标提拉速度<br>(S50),将补偿信号与目标温度和实际温度进行比较以产生和控制补偿温度<br>(S60)。<br>当开始生长单晶锭的过程时,在设置单晶锭长度的步骤(S10)中,<br>通过锭长设置单元设置单晶锭的长度。<br>并且,在根据单晶锭长度设定目标直径、目标提拉速度和目标温度的步骤(S20)中,<br>目标值设定单元设定影响单晶质量的因素的目标值。晶锭在制造单晶锭的过程中给予。<br>这里,目标值设定单元包括目标直径设定单元、目标提拉速度设定单元和目标温度设定单元,以及锭长<br>通过设定单元设定待生长晶<br>锭长度时,可根据单晶晶锭长度设定靶材直径、靶材提拉速度、靶材温度。<br>[0059] 另外,在根据单晶锭的长度设置靶材直径、靶材提拉速度和靶材温度的步骤(S20)中,<br>还可以进一步设置靶材提拉速度的上限和下限。
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图7是根据实施示例显示的单晶石墨生长装置控制方法的顺序图。[0055]<br>如图7所示,本实施示例中的单晶石墨生长装置的控制方法设置了单晶石墨的长度[0056]<br>步骤(S10),根据单晶石墨的长度设定目标直径、目标上升速度、目标温度(S20),目的<br>通过比较计算表直径和实际直径来创建补偿印象速度和控制印象速度的步骤(S30),平均印象<br>将速度修正为目标提升速度的阶段(S40),通过比较平均提升速度和目标提升速度生成补偿信号。<br>通过比较生成阶段(S50)、补偿信号和目标温度以及实际温度来创建和控制补偿温度的阶段。<br>包括(S60)。<br>当开始生长单晶石墨时,在设定单晶石墨长度的阶段(S10)中,石墨长度设置部分[0057]<br>由设定单晶剩余长度。<br>然后,根据单晶盈余的长度设置目标直径、目标上升速度和目标温度的步骤(S20)将设置目标[0058]。<br>设定部在制造单晶石墨的工序中,决定单晶石墨质量的因素的目标值。<br>其中,目标设定部分包括目标直径设定部分、目标上升速度设定部分、目标温度设定部分,以及剩余长度。<br>如果设定了想要增长的盈余长度,则根据单晶盈余的长度设定目标直径和目标增长速度。<br>度,可以设定目标温度。<br>此外,根据单晶石墨的长度设置目标直径、目标上升速度和目标温度的步骤(S20)的目标为[0059]<br>可以再设定上速度的上限和下限。
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图7是表示根据实施例的单晶锭生长装置的控制方法的流程图。[0055]如图7所示,根据本实施例的单晶锭生长装置的控制方法设置单晶锭的长度[0056]做的阶段(S10)、根据单晶锭的长度设定目标直径、目标上升速度、目标温度的阶段(S20)、颈部对表直径和实际直径进行比较运算,以生成补偿上调速度,并控制上调速度的步骤(S30);平均上调。以目标提高速度补偿速度的阶段(S40),将平均提高速度与目标提高速度进行比较,生成补偿信号成色阶段(S50)、补偿信号与目标温度和实际温度进行比较计算,以生成和控制补偿温度的阶段包括(S60)。开始生长单晶锭的过程,在设置单晶锭长度的步骤(S10)中,锭长度设定部[0057]由设定单晶锭的长度。而且,在根据单晶锭的长度设定目标直径、目标提高速度、目标温度的阶段(S20),目标值[0058]设定部在制造单晶锭的过程中,设定决定单晶锭质量的因素的目标值。其中,目标值设定部包括目标直径设定部、目标提高速度设定部、目标温度设定部,钢锭长度如果设定部设定了想要增长的钢锭长度,那么根据单晶钢锭的长度,目标直径、目标印象中度,可以设定目标温度。此外,在根据单晶锭的长度设定目标直径、目标提高速度、目标温度的阶段(S20),目标[0059]可以进一步设定相速度的上限和下限。
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