ステップ（ａ）では、サンプル銅箔に熱処理を施して熱処理済銅箔を得る。す

ステップ（ａ）では、サンプル銅箔に熱処理を施して熱処理済銅箔を得る。すなわち、サンプル銅箔を１８０℃の乾燥機内に投入して１８０℃で９０分加熱した後、冷却速度２～６℃／分でサンプル銅箔を室温まで冷却させて、熱処理済銅箔を得る。この際、サンプル銅箔に熱処理を施すことでサンプル銅箔の結晶組織の再結晶化が進行する。この熱処理の条件は第３工程における加熱加圧成形の条件とほとんど同じであるため、このサンプル銅箔と同一のロットの銅箔を例えば第１銅箔１０又は第２銅箔２０として用いた場合、熱処理済銅箔の再結晶化の進行度合いと、両面銅張積層板１における第１銅箔１０又は第２銅箔２０の再結晶化の進行度合いとは同様となる。

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在步骤（a）中，对样品铜箔进行热处理以获得热处理过的铜箔。即，将样品铜箔放置在180℃的干燥机中，并在180℃下加热90分钟，然后以2至6℃/分钟的冷却速率将样品铜箔冷却至室温，以获得热处理的铜箔。此时，通过对样品铜箔进行热处理来使样品铜箔的晶体结构再结晶。例如，由于该热处理的条件与第三步骤中形成的加热和加压的条件几乎相同，因此，当使用与该样品铜箔相同批次的铜箔作为第一铜箔10或第二铜箔20时。热处理后的铜箔的再结晶化程度与双面覆铜层压板1中的第一铜箔10或第二铜箔20的再结晶化程度相同。

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在步骤（a）中，通过对样品铜箔进行热处理，得到经过热处理的铜箔。也就是说，在180°C下加热90分钟后，将样品铜箔放入180°C的干燥器中，以2~6°C/min的冷却速率将样品铜箔冷却至室温，得到热处理铜箔。在这种情况下，通过对样品铜箔进行热处理，对样品铜箔的晶体结构进行再结晶。由于热处理的条件与第三步中的加热和加压成型条件基本相同，当使用与样品铜箔相同的批次的铜箔作为第一铜箔10或第二铜箔20时，热处理铜箔的再结晶程度与双面铜包覆层压板1中第一铜箔10或第二铜箔20的再结晶程度相同。

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在步骤（a）中，通过对样本铜箔进行热处理来获得经热处理的铜箔。即，将样品铜箔投入180℃的干燥机中，在180℃加热90分钟后，以冷却速度2～6℃/分钟将样品铜箔冷却至室温，获得热处理后的铜箔。此时，通过对样品铜箔进行热处理，样品铜箔的晶体组织进行再结晶。由于该热处理条件几乎与第三过程中加热加压成型的条件相同，因此，如果将与该样品铜箔相同的批次的铜箔用作例如第一铜箔10或第二铜箔20，则热处理后的铜箔的再结晶进行程度和双面铜张叠层板1中的第二铜箔与1铜箔10或第2铜箔20的再结晶的进行程度相同。<br>

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