Then, the incorporated N atom is no

Then, the incorporated N atom is not directly the ORR active site, but it provides a way to modify the electronic structure of the graphitic network. Similarly, the presence of intrinsic defects can alter the charge distribution along the graphitic . network. This has been extensively studied in the case of edges exposure,16-21] showing even a synergy effect between the edges and the nitrogen presence[19-23]; and more recently with topological (non hexagonal carbon rings) defects,[19,24-27] especially the pentagon carbon ring,[12,17,28]

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然后，并入的N原子不直接是ORR活性位点，而是提供了一种修改石墨网络电子结构的方法。类似地，内在缺陷的存在会改变沿石墨的电荷分布。网络。在边缘暴露的情况下对此进行了广泛的研究[16-21]，显示出边缘与氮的存在甚至产生协同效应[19-23]。以及最近出现的拓扑（非六角形碳环）缺陷，[19,24-27]特别是五边形碳环，[12,17,28]

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然后，合并的N原子不是直接的ORR活性站点，但它提供了一种修改草布网络电子结构的方法。同样，内在缺陷的存在可以改变沿字形的电荷分布。网络。在边缘暴露的情况下，对此进行了广泛的研究，16-21）甚至显示了边缘和氮气存在之间的协同效应[19-23]：最近与拓扑（非六边形碳环）缺陷，[19，24-27]，特别是五边形碳环，[12，17，28]

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因此，N原子不是直接的ORR活性中心，但它提供了一种改变石墨网络电子结构的方法。同样，本征缺陷的存在可以改变沿石墨层的电荷分布。网络。这已经在边缘暴露的情况下进行了广泛的研究，16-21]甚至显示了边缘和氮存在之间的协同效应[19-23]；以及最近的拓扑（非六角碳环）缺陷[19,24-27]，特别是五角碳环[12,17,28]

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