The porosity at 900 °C may be attri

The porosity at 900 °C may be attributed to the degradation and oxidation of the Ni substrate. The XRD patterns in Fig. 5 indicates that the LaNiO3 layer was mostly eliminated above 850 °C [58] while the Ni was heavily oxidized. The oxidation or cracking of Ni may have degraded the quality of the PZT film. Thickening the HfO2 did not eliminate oxidation, suggesting that Ni foil may not be the best solution for such devices.

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900°C时的孔隙率可归因于Ni基体的降解和氧化。图5中的XRD图谱表明，在850°C以上时，LaNiO3层大部分被清除了[58]，而Ni被严重氧化。Ni的氧化或裂化可能会降低PZT膜的质量。增稠HfO2不能消除氧化，这表明Ni箔可能不是这种设备的最佳溶解方法。

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900°C 时的孔隙度可归因于镍基板的降解和氧化。图 5 中的 XRD 模式表明，LaNiO3 层大多在 850 °C [58] 以上被消除，而 Ni 被严重氧化。镍的氧化或开裂可能降低PZT薄膜的质量。增厚HfO2并不能消除氧化，这表明镍箔可能不是这种器件的最佳解决方案。

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900℃下的孔隙率可归因于镍基体的降解和氧化。图5中的XRD图案表明，当Ni严重氧化时，LaNiO3层在850°C以上大部分被消除[58]。镍的氧化或开裂可能会降低PZT薄膜的质量。加厚HfO2并不能消除氧化，这表明镍箔可能不是此类器件的最佳溶剂。

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