This work explored the use of Ni fo

This work explored the use of Ni foils, Ag foils and Cu foils as substrates for the PZT films. Ni foils (25 mm, 99.99+%, Goodfellow Corporation, Coraopolis, PA) oxidize easily; if the oxygen partial pressure during firing is low enough to retain metallic Ni, Pb is reduced. LaNiO3/HfO2/Ni substrates were used to suppress the formation of NiO and reduce contact between Ni and PZT. Here HfO2 was the passivation layer while LaNiO3 (LNO) served as the bottom electrode. The processing details were similar to those described by Yeo et al. [44] except that 100 nm HfO2 was deposited by atomic layer deposition at a rate of 0.93 A-/cycle. The silver foils (25 mm, 99.9%, SigmaAldrich Corp., St. Louis, MO) were cut to size and used without any further treatment. 5 layers (~100 nm) of PbO thin film were spun on to the surface of the Cu foils (25 mm, 99.8%, Alfa Aesar, Tewksbury, MA), following procedures described by Coleman et al. [45] to help provide a transient liquid phase, but no additional processing was required..

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这项工作探索了使用Ni箔，Ag箔和Cu箔作为PZT膜的基材。镍箔（25毫米，99.99 +％，Goodfellow Corporation，宾夕法尼亚州科拉波利斯）容易氧化。如果烧成时的氧分压足够低以保留金属Ni，则Pb会降低。LaNiO3 / HfO2 / Ni衬底用于抑制NiO的形成并减少Ni与PZT之间的接触。在这里，HfO2是钝化层，而LaNiO3（LNO）作为底部电极。处理细节与Yeo等人描述的相似。[44]除了通过原子层沉积以0.93 A- /循环的速率沉积100 nm HfO2之外。将银箔（25mm，99.9％，Sigma？Aldrich Corp.，St.Louis，MO）切成一定尺寸，并未经进一步处理即可使用。将5层（〜100 nm）的PbO薄膜旋涂到Cu箔的表面上（25 mm，99.8％，Alfa Aesar，Tewksbury，MA）。[45]帮助提供了一个短暂的液相，但不需要额外的处理。

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这项工作探索了使用镍箔，Ag箔和Cu箔作为PZT薄膜的基材。镍箔（25毫米，99.99°），古德费洛公司，科劳波利斯，宾夕法尼亚州）容易氧化;如果燃烧期间的氧气部分压力足够低，足以保持金属镍，则Pb会降低。LaNiO3/HfO2/Ni 基板用于抑制 NiO 的形成，减少 Ni 和 PZT 之间的接触。在这里，HfO2是钝化层，而LaNiO3（LNO）充当底部电极。处理细节与Yeo等人描述的相似[44]，只是100纳米HfO2通过原子层沉积以0.93A-/周期的速度沉积。银箔（25毫米，99.9%，西格玛奥尔德里希公司，圣路易斯，MO）被切割到大小，使用没有任何进一步的治疗。5 层（±100 nm）的 PbO 薄膜被旋转到 Cu 箔表面（25 mm， 99.8%， Alfa Aesar， Tewksbury， MA），按照 Coleman 等人所述的程序 [45] 帮助提供瞬态液相，但无需额外处理。

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本文探讨了用镍箔、银箔和铜箔作为PZT薄膜的辅助材料。镍箔（25 mm，99.99+%，Goodfellow corporation，Coraopolis，PA）易氧化；如果燃烧过程中的氧分压足够低，足以保留金属Ni，Pb就会减少。采用LaNiO3/HfO2/Ni基片抑制NiO的形成，减少Ni与PZT的接触。在这里，HfO2是pas sivation层，而LaNiO3（LNO）是底电极。处理细节与Yeo等人描述的相似。【44】除了以0.93 a-/周期的速率通过原子层沉积法沉积100 nm HfO2外。银箔（25 mm，99.9%，Sigma Aldrich Corp.，St.Louis，密苏里州）被切割成尺寸并使用，无需进一步处理。按照Coleman等人描述的程序，在铜箔（25 mm，99.8%，Alfa Aesar，Tewksbury，MA）表面上旋涂5层（约100 nm）的PbO薄膜。[45]以帮助提供瞬时液相，但不需要额外的处理。。

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