We focus on utilizing sputtered ind

我们专注于利用溅射的铟锡氧化物（ITO）作为复合层，对具有正面隧道氧化物钝化电子接触的n型硅太阳能电池具有较低的结损伤，从而能够开发出高效的整体钙钛矿/硅串联装置。在室温下，通过低功率直流磁控溅射将高透明性和低电阻率的ITO膜沉积到具有背面钝化Al2O3 / SiNx的完整Cz n-Si电池中的正面薄SiOx / n +多晶硅接触层上在随机金字塔纹理表面上扩散的p +发射极。我们报告了ITO溅射前后的电池特性，我们发现在250°C的空气中固化对于减轻任何溅射引起的损伤非常有效。我们的ITO涂层样品产生的隐含开路电压（iVoc）为684.7±11。3 mV，总饱和电流密度为49.2±14.8 fA / cm2，隐含填充因子（iFF）为81.9±0.8％，接触电阻率为60mΩ-cm2至90mΩ-cm2。在形成与后发射极的局部Ag接触并溅射ITO膜作为无栅指的正面接触后，获得的伪效率为20.2±0.5％，Voc为670.4±7 mV，伪FF为77.3±根据测量的外部量子效率，在模拟的一个阳光下，短路电流密度为30.9 mA / cm2，则为1.3％。我们的建模结果表明，在钙钛矿/ Si串联配置中，使用连接钙钛矿顶部电池和多晶硅底部电池的ITO重组层，实际上可以获得超过25％的效率。隐含填充因子（iFF）为81.9±0.8％，接触电阻率为60mΩ-cm2至90mΩ-cm2。在形成与后发射极的局部Ag接触并溅射ITO膜作为无栅指的正面接触后，获得的伪效率为20.2±0.5％，Voc为670.4±7 mV，伪FF为77.3±根据测量的外部量子效率，在模拟的一个阳光下，短路电流密度为30.9 mA / cm2，则为1.3％。我们的建模结果表明，在钙钛矿/ Si串联配置中，使用连接钙钛矿顶部电池和多晶硅底部电池的ITO重组层，实际上可以获得超过25％的效率。隐含填充因子（iFF）为81.9±0.8％，接触电阻率为60mΩ-cm2至90mΩ-cm2。在形成与后发射极的局部Ag接触并溅射ITO膜作为无栅指的正面接触后，获得的伪效率为20.2±0.5％，Voc为670.4±7 mV，伪FF为77.3±根据测量的外部量子效率，在模拟的一个阳光下，短路电流密度为30.9 mA / cm2，则为1.3％。我们的建模结果表明，在钙钛矿/ Si串联配置中，使用连接钙钛矿顶部电池和多晶硅底部电池的ITO重组层，实际上可以获得超过25％的效率。在形成与后发射极的局部Ag接触并溅射ITO膜作为无栅指的正面接触后，获得的伪效率为20.2±0.5％，Voc为670.4±7 mV，伪FF为77.3±根据测量的外部量子效率，在模拟的一个阳光下，短路电流密度为30.9 mA / cm2，则为1.3％。我们的建模结果表明，在钙钛矿/ Si串联配置中，使用连接钙钛矿顶部电池和多晶硅底部电池的ITO重组层，实际上可以获得超过25％的效率。在形成与后发射极的局部Ag接触并溅射ITO膜作为无栅指的正面接触后，获得的伪效率为20.2±0.5％，Voc为670.4±7 mV，伪FF为77.3±根据测量的外部量子效率，在模拟的一个阳光下，短路电流密度为30.9 mA / cm2，则为1.3％。我们的建模结果表明，在钙钛矿/ Si串联配置中，使用连接钙钛矿顶部电池和多晶硅底部电池的ITO重组层，实际上可以获得超过25％的效率。根据所测外部量子效率，在模拟的一个阳光下，短路电流密度为30.9 mA / cm2，计算结果为3％。我们的建模结果表明，在钙钛矿/ Si串联配置中，使用连接钙钛矿顶部电池和多晶硅底部电池的ITO重组层，实际上可以获得超过25％的效率。根据所测外部量子效率，在模拟的一个阳光下，短路电流密度为30.9 mA / cm2，计算结果为3％。我们的建模结果表明，在钙钛矿/ Si串联配置中，使用连接钙钛矿顶部电池和多晶硅底部电池的ITO重组层，实际上可以获得超过25％的效率。

我们专注于利用溅射的氧化锡（ITO）作为重组层，对具有前侧隧道氧化物钝化电子接触的n型硅太阳能电池具有低结损伤，从而能够开发一种高效率的单片环联体/Si串联器件。高透明度和低电阻率 ITO 薄膜通过低功耗直流磁控管在室温下溅射，沉积在完全 Cz n-Si 单元中的前侧薄 SiOx/n+ 聚-Si 触点上，背面为 Al2O3/SiNx 钝化硼扩散 p_发射器，位于随机金字塔纹理表面上。我们报告ITO溅射前后的细胞特性，我们发现空气中250°C的治疗方法在缓解任何溅射引起的损伤方面非常有效。我们的 ITO 涂层样品的隐含开路电压 （iVoc） 为 684.7 ± 11.3 mV，总饱和电流密度为 49.2 ± 14.8 fA/cm2，隐含填充系数 （iFF） 为 81.9 ± 0.8%，触点电阻率在 60 mΩ-cm2 到 90 mΩ-cm2 之间。在形成局部Ag接触后发射器，并将ITO膜溅出为无网格手指的前侧接触后，在模拟一个太阳下，通过670.4×7 mV的Voc和77.3± 1.3%的伪FF，从测得的外部量子效率中计算出的短路电流密度为30.9 mA/cm2，获得了20.2± 0.5%的伪效率。我们的建模结果表明，在一次太阳下，使用 ITO 重组层连接 perovskite 顶部单元和聚 Si 底单元，在一个太阳下效率几乎可以达到 25%。

我们致力于利用溅射氧化铟锡（ITO）作为复合层，对具有正面隧道氧化钝化电子接触的n型硅太阳电池造成低结损，从而开发出高效的整体钙钛矿/硅串联器件。采用低功率直流磁控溅射技术，在一个完整的Cz-n-Si电池中，将高透明、低电阻率的ITO薄膜沉积在正面的SiOx/n+多晶硅（poly-Si）接触面上，背面的Al2O3/SiNx钝化硼扩散p+发射极位于无规棱锥织构表面。我们报告了ITO溅射前后的电池特性，我们发现在250℃的空气中进行固化对于减轻溅射引起的损伤是非常有效的。ITO涂层样品的开路电压（iVoc）为684.7±11.3mv，饱和电流密度为49.2±14.8fa/cm~2，填充因子（iFF）为81.9±0.8%，接触电阻率为60mΩ-cm~2～90mΩ-cm~2。在形成与后发射极的局部Ag接触，并且溅射ITO膜作为没有栅极指的正面接触之后，在模拟一个太阳下，由测量的外量子效率计算出的短路电流密度为30.9ma/cm~2，Voc为670.4±7mv，赝FF为77.3±1.3%，赝效率为20.2±0.5%。我们的模拟结果表明，在钙钛矿/硅串联结构中，利用连接钙钛矿顶电池和多晶硅底电池的ITO复合层，一个太阳下的效率可以超过25%。