N-type silicon is etched at a much

N-type silicon is etched at a much faster rate (>50 times faster) than p+-type, so n-type material is often used as the start-ing material. P+-type material can be epitaxially grown on the wafer or diffused into the wafer to add a further control element in defining the dimensions.

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N型硅的蚀刻速度比p +型要快得多（快50倍以上），因此通常将n型材料用作起始材料。P +型材料可以在晶片上外延生长或扩散到晶片中，从而在定义尺寸时添加其他控制元素。

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N 型硅的蚀刻速度比 p+型快得多（±50 倍），因此 N 型材料通常用作起始材料。P+型材料可以分片生长在晶圆上，也可以扩散到晶圆中，在定义尺寸时增加进一步的控制元件。

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N型硅的蚀刻速度比p+型快得多（>50倍以上），因此N型材料常被用作起始材料。P+型材料可以在晶圆上外延生长或扩散到晶圆中，以在定义尺寸时添加进一步的控制元件。

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