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honfly
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Kanishka等人[84]通过控制和微调纳米结构热电材料的介观结构，获得了晶格热导率的最大降低。在915 K获得了超过阈值2的ZT，ZT值约为2.2。Tan等人[16]在不使用任何模板的情况下，通过简单的热共蒸发技术成功制备了由有序纳米线阵列组成的n型Bi2(Te，Se)3三元化合物薄膜。Bi2(TeSe)3纳米线阵列薄膜在室温下具有1.01的ZT。特兰和塞巴斯蒂安等人。
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